Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 14 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SiHF530S Nej SIHF530STRR-GE3
- RS-varenummer:
- 815-2613
- Producentens varenummer:
- SIHF530STRR-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 101,05
(ekskl. moms)
Kr. 126,31
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 23. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 10,105 | Kr. 101,05 |
| 100 - 240 | Kr. 9,50 | Kr. 95,00 |
| 250 - 490 | Kr. 8,58 | Kr. 85,80 |
| 500 - 990 | Kr. 8,078 | Kr. 80,78 |
| 1000 + | Kr. 7,592 | Kr. 75,92 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 815-2613
- Producentens varenummer:
- SIHF530STRR-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | SiHF530S | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 160mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 88W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 26nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie SiHF530S | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 160mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 88W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 26nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.5V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 100 V til 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 14 A 100 V D2PAK (TO-263) SIHF530STRR-GE3
- Vishay N-Kanal 46 A 650 V, D2PAK (TO-263) SIHB055N60EF-GE3
- Vishay N-Kanal 15 A 600 V, D2PAK (TO-263) SIHB15N60E-GE3
- Vishay N-Kanal 28 A 100 V D2PAK (TO-263) SIHL540STRL-GE3
- Vishay N-Kanal 120 A 100 V D2PAK (TO-263) SUM70040E-GE3
- Vishay N-Kanal 150 A 100 V D2PAK (TO-263), TrenchFET SUM70030M-GE3
- Vishay N-Kanal 150 A 100 V D2PAK (TO-263), N-Channel 100-V SUM70042E-GE3
- Vishay N-Kanal 150 A 40 V D2PAK (TO-263) SUM40012EL-GE3
