Vishay N-Kanal, MOSFET, 65 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SUM65N20-30
- RS-varenummer:
- 818-7489
- Producentens varenummer:
- SUM65N20-30-E3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 84,52
(ekskl. moms)
Kr. 105,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 352 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 42,26 | Kr. 84,52 |
| 20 - 48 | Kr. 39,72 | Kr. 79,44 |
| 50 - 98 | Kr. 35,98 | Kr. 71,96 |
| 100 - 198 | Kr. 33,845 | Kr. 67,69 |
| 200 + | Kr. 31,715 | Kr. 63,43 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 818-7489
- Producentens varenummer:
- SUM65N20-30-E3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 65A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | SUM65N20-30 | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 84mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 90nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.826mm | |
| Bredde | 9.65mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.41mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 65A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie SUM65N20-30 | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 84mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 90nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.826mm | ||
Bredde 9.65mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.41mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 200 V til 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 65 A 200 V Forbedring TO-263, SUM65N20-30
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A 200 V Forbedring TO-263, STripFET
- Vishay N-Kanal 45 A 250 V Forbedring TO-263, SUM45N25-58
- onsemi N-Kanal 30 A 650 V Forbedring TO-263
- Nexperia N-Kanal 100 A 30 V Forbedring TO-263
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A 600 V Forbedring TO-263, STB
- ROHM N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring TO-263, SCT
- Infineon N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
