onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263 Nej NTB110N65S3HF
- RS-varenummer:
- 186-1500
- Producentens varenummer:
- NTB110N65S3HF
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 85,80
(ekskl. moms)
Kr. 107,24
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 42,90 | Kr. 85,80 |
| 20 - 198 | Kr. 36,99 | Kr. 73,98 |
| 200 + | Kr. 32,05 | Kr. 64,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 186-1500
- Producentens varenummer:
- NTB110N65S3HF
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 110mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 240W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 62nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.58mm | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 110mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 240W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 62nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.58mm | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Ikke i overensstemmelse med RoHS
SuperFET® III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændings Super-Junction (SJ) MOSFET-serie, der benytter ladebalance-teknologi for fremragende lav modstand ved tændt og lavere portopladningsydeevne. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. Derfor er SUPERFET III MOSFET meget velegnet til de forskellige effektsystemer til miniaturisering og højere effektivitet. SUPERFET III FRFET MOSFET's optimerede omvendte genopretningsevne for husdioden kan fjerne yderligere komponenter og forbedre systemets pålidelighed.
700 V ved TJ = 150 °C
Ultralav Gateopladning (Typ. QG = 62 bryde)
Lav Effektiv Udgangskapacitet (Typ. USS (eff.) = 522 pF)
Fremragende ydeevne for husdiode (lav Qrr, robust husdiode)
Optimeret kapacitet
Typ. RDS(on) = 98 mΩ
Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur
Lavere skiftetab
Højere systempålidelighed i LLC og helbro faseskiftende kredsløb
Lavere spids Vds og lavere Vgs svingninger
Anvendelsesområder
Telekommunikation
Cloud-system
Industriel
Slutprodukter
Telekommunikations-strøm
Serverstrøm
Elbil-lader
Solcelle/UPS (nødstrømsforsyning)
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring TO-263 Nej
- onsemi Type N-Kanal 36 A 650 V Forbedring TO-263 Nej
- onsemi Type N-Kanal 36 A 650 V Forbedring TO-263 Nej NTB095N65S3HF
- onsemi Type N-Kanal 20 A 650 V Forbedring TO-263 AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 14 A 650 V Forbedring TO-263, FCB Nej
- onsemi Type N-Kanal 40 A 650 V Forbedring TO-263 AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring TO-263 AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring TO-263 AEC-Q101 NVB150N65S3F