onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 195-2666
- Producentens varenummer:
- NVB190N65S3F
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 rulle af 800 enheder)*
Kr. 9.585,60
(ekskl. moms)
Kr. 11.982,40
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 800 + | Kr. 11,982 | Kr. 9.585,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 195-2666
- Producentens varenummer:
- NVB190N65S3F
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 190mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 162W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.58mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 190mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 162W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.58mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
SuperFET® III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændings Super-Junction (SJ) MOSFET-serie, der benytter ladebalance-teknologi for fremragende lav modstand ved tændt og lavere portopladningsydeevne. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. Dermed er SuperFET III MOSFET meget velegnet til de forskellige strømsystemer for miniaturisering og højere effektivitet. SuperFET III FRFET® MOSFET'ers optimerede omvendt gendannelsesydeevne af husdiode kan fjerne behovet for yderligere komponenter og forbedre systemets pålidelighed.
701 V VED TJ = 150 °C.
Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur
Meget lav portopladning (typ. Qg = 33 nC)
Lavere skiftetab
Lavt effektiv udgangskapacitet (typ. Coss(eff.) = 300 pF)
Lavere skiftetab
PPAP-kapacitet
Typ. RDS(on) = 158 mΩ
Anvendelse
DC/DC konverter
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 20 A 650 V Forbedring TO-263 AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 40 A 650 V Forbedring TO-263 AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring TO-263 AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 44 A 650 V Forbedring TO-263, SuperFET III MOSFET Easy-drive AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 36 A 650 V Forbedring TO-263
- onsemi Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring TO-263
- onsemi Type N-Kanal 14 A 650 V Forbedring TO-263, FCB
- onsemi Type N-Kanal 70 A 650 V Forbedring TO-263, NTB