onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 36 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263 Nej
- RS-varenummer:
- 189-0252
- Producentens varenummer:
- NTB095N65S3HF
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 rulle af 800 enheder)*
Kr. 21.153,60
(ekskl. moms)
Kr. 26.441,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 30. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 800 + | Kr. 26,442 | Kr. 21.153,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 189-0252
- Producentens varenummer:
- NTB095N65S3HF
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 36A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 95mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 66nC | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 272W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.58mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 36A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 95mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 66nC | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 272W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.58mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
SUPERFET III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændingssuper-junction (SJ) MOSFET-serie, der anvender opladningsbalanceteknologi for at opnå enestående lav on-modstandskraft og lavere gate-opladningsydeevne. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. SUPERFET III MOSFET er derfor meget velegnet til de forskellige effektsystemer til miniaturisering og højere effektivitet. SUPERFET III FRFET MOSFET's optimerede reverse recovery-ydelse på kropsdioden kan fjerne yderligere komponenter og forbedre systemets pålidelighed.
700 V ved TJ = 150 °C
Opladning af ultralav port (Typ. QG = 66 NC)
Lav effektiv udgangskondentans (Typ. USS(eff.) = 569 pF)
Fremragende ydeevne for husdiode (lav Qrr, robust husdiode)
Optimeret kapacitet
Typ. RDS(on) = 80 mohm Større systempålidelighed ved drift ved lave temperaturer
Lavere skiftetab
Højere systempålidelighed i LLC og helbro faseskiftende kredsløb
Lavere spids Vds og lavere Vgs svingninger
Anvendelsesområder
Telekommunikation
Cloud-system
Industriel
Slutprodukter
Telekommunikations-strøm
Serverstrøm
Elbil-lader
Solcelle/UPS (nødstrømsforsyning)
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 36 A 650 V D2PAK (TO-263) NTB095N65S3HF
- onsemi N-Kanal 40 A 650 V D2PAK (TO-263) NTB082N65S3F
- onsemi N-Kanal 14 A 650 V D2PAK (TO-263) FCB199N65S3
- onsemi N-Kanal 30 A 650 V D2PAK (TO-263) NTB110N65S3HF
- onsemi N-Kanal 44 A 650 V D2PAK (TO-263) FCB070N65S3
- onsemi N-Kanal 24 A 650 V D2PAK (TO-263) AEC-Q101 NVB150N65S3F
- onsemi N-Kanal 44 A 650 V D2PAK (TO-263) AEC-Q101 NVB072N65S3
- onsemi N-Kanal 62 A 650 V D2PAK (TO-263), SiC Power NTBG045N065SC1