onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263 AEC-Q101 NVB150N65S3F
- RS-varenummer:
- 195-2518
- Producentens varenummer:
- NVB150N65S3F
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 111,32
(ekskl. moms)
Kr. 139,15
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 550 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 11,132 | Kr. 111,32 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 195-2518
- Producentens varenummer:
- NVB150N65S3F
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 24A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 150mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 43nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 192W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 4.58mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 150mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 43nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 192W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 4.58mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
SuperFET® III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændings Super-Junction (SJ) MOSFET-serie, der benytter ladebalance-teknologi for fremragende lav modstand ved tændt og lavere portopladningsydeevne. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. Derfor er SUPERFET III MOSFET meget velegnet til det forskellige effektsystem til miniaturisering og højere effektivitet. SUPERFET III FRFET ® MOSFET's optimerede omvendte genopretningsevne for husdioden kan fjerne yderligere komponenter og forbedre systemets pålidelighed.
701 V VED TJ = 150 °C.
Typ. RDS(on) = 114 m.
Meget lav portopladning (typ. Qg = 33 nC)
Lavt effektiv udgangskapacitet (typ. Coss(eff.) = 345 pF)
Disse enheder er blyfrie
Anvendelsesområder
Indbygget Biloplader
DC/DC-konverter til biler til HEV
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring TO-263 AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 20 A 650 V Forbedring TO-263 AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 40 A 650 V Forbedring TO-263 AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 40 A 650 V Forbedring TO-263 AEC-Q101 NVB082N65S3F
- onsemi Type N-Kanal 20 A 650 V Forbedring TO-263 AEC-Q101 NVB190N65S3F
- onsemi Type N-Kanal 44 A 650 V Forbedring TO-263, SuperFET III MOSFET Easy-drive AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 44 A 650 V Forbedring TO-263, SuperFET III MOSFET Easy-drive AEC-Q101 NVB072N65S3
- onsemi Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring TO-263 Nej