onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263 AEC-Q101

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
186-1281
Producentens varenummer:
NVB082N65S3F
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

82mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

313W

Portkildespænding maks.

30 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

81nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.67mm

Højde

4.58mm

Bredde

9.65 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Ikke i overensstemmelse med RoHS

SUPERFET ® III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændings super-junction (SJ) MOSFET-serie, der anvender opladningsbalanceteknologi for fremragende lav modstand og lavere gate-opladningsydelse. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. Derfor er SUPERFET III MOSFET meget velegnet til det forskellige effektsystem til miniaturisering og højere effektivitet. SUPERFET III FRFET ® MOSFET's optimerede omvendte genopretningsevne for husdioden kan fjerne yderligere komponenter og forbedre systemets pålidelighed.

700 V VED TJ = 150 °C.

Typ. RDS(on) = 64 m.

Meget lav gate-opladning (typ. Qg = 81 nC)

Lav effektiv udgangskapacitet (typ. Coss(eff.) = 722 pF)

Disse enheder er blyfrie

Typiske anvendelser

Indbygget Biloplader

DC/DC-konverter til biler til HEV

Relaterede links