onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, FCB Nej FCB199N65S3
- RS-varenummer:
- 172-4630
- Producentens varenummer:
- FCB199N65S3
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 194,18
(ekskl. moms)
Kr. 242,72
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 06. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 19,418 | Kr. 194,18 |
| 100 - 240 | Kr. 16,74 | Kr. 167,40 |
| 250 + | Kr. 14,511 | Kr. 145,11 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 172-4630
- Producentens varenummer:
- FCB199N65S3
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | FCB | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 199mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 98W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 30nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie FCB | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 199mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 98W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
SuperFET® III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændings Super-Junction (SJ) MOSFET-serie, der benytter ladebalance-teknologi for fremragende lav modstand ved tændt og lavere portopladningsydeevne. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. Dermed er SuperFET III MOSFET meget velegnet til forskellige strømsystemer for miniaturisering og højere effektivitet.
700 V ved Tj = 150 °C
Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur
Meget lav portopladning (typ. Qg = 30 nC)
Lavere skiftetab
Lavt effektivt udgangskapacitet (typ. Coss(eff.) = 277 pF)
Lavere skiftetab
Optimeret kapacitet
Lavere spids Vds og lavere Vgs svingninger
Indvendig portmodstand: 7,0 ohm
Lavere spids Vds og lavere Vgs svingninger
Typ. RDS(on) = 170 mΩ
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 14 A 650 V D2PAK (TO-263) FCB199N65S3
- onsemi N-Kanal 36 A 650 V D2PAK (TO-263) NTB095N65S3HF
- onsemi N-Kanal 40 A 650 V D2PAK (TO-263) NTB082N65S3F
- onsemi N-Kanal 30 A 650 V D2PAK (TO-263) NTB110N65S3HF
- onsemi N-Kanal 44 A 650 V D2PAK (TO-263) FCB070N65S3
- onsemi N-Kanal 24 A 650 V D2PAK (TO-263) AEC-Q101 NVB150N65S3F
- onsemi N-Kanal 44 A 650 V D2PAK (TO-263) AEC-Q101 NVB072N65S3
- onsemi N-Kanal 62 A 650 V D2PAK (TO-263), SiC Power NTBG045N065SC1