Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 42 A 100 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 59,48

(ekskl. moms)

Kr. 74,35

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 4.780 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 5,948Kr. 59,48

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
825-9250
Producentens varenummer:
BSC160N10NS3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

42A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

OptiMOS 3

Emballagetype

TDSON

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

33mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

60W

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.1mm

Bredde

6.35 mm

Længde

5.35mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS™ MOSFET i 3-serien, 42A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 60W maksimal effektafledning - BSC160N10NS3GATMA1


Denne MOSFET er konstrueret til effektivitet og holdbarhed i en række forskellige applikationer. Den fungerer som en grundlæggende komponent i strømstyringssystemer og udmærker sig i switching-applikationer, hvilket gør den velegnet til automatisering og elektriske sektorer. Dens imponerende egenskaber, herunder høj kontinuerlig drænstrøm og lav on-state modstand, optimerer ydeevnen i forskellige miljøer og sikrer styrke og effektivitet.

Egenskaber og fordele


• Understøtter en kontinuerlig afløbsstrøm på 42A til opgaver med høj effekt

• Fungerer ved en maksimal drain-source-spænding på 100 V til bred anvendelse

• Udviser lav on-state modstand på 33mΩ, hvilket forbedrer energieffektiviteten

• Designet med en overflademonteret konfiguration til enkel kredsløbsintegration

• Fungerer i miljøer med høje temperaturer, op til +150 °C

• Bruger en enkelt N-kanal-konfiguration for forbedret stabilitet

Anvendelsesområder


• Anvendes i strømforsyninger og omformere til effektiv energistyring

• Velegnet til der kræver kompakte og effektive strømforsyninger

• Anvendes i motorstyringssystemer til forbedrede responstider

• Ideel til telekommunikationssystemer, der har brug for robuste strømfunktioner

• Anvendes ofte i vedvarende energisystemer til effektiv strømomdannelse

Hvad er de termiske grænser for drift af denne enhed?


Enheden fungerer inden for et temperaturområde på -55 °C til +150 °C, hvilket passer til forskellige miljøforhold.

Hvordan kan den lave on-state modstand gavne mit kredsløbsdesign?


Den lave on-state modstand reducerer effekttabet under drift, forbedrer effektiviteten i dit kredsløb og mindsker varmeudviklingen.

Er der behov for en særlig monteringsmetode til denne MOSFET?


Denne MOSFET har et overflademonteret design, der gør det nemt at integrere den i printkort.

Kan denne MOSFET bruges til pulserende applikationer?


Ja, den kan klare pulserende strømme på op til 168 A, hvilket gør den velegnet til applikationer, der involverer transiente belastninger.

Hvilke sikkerhedsforanstaltninger skal jeg overveje under installationen?


Det er vigtigt at styre gate-source-spændingen inden for det specificerede område på -20V til +20V for at forhindre skader og samtidig sikre, at den termiske modstand overholdes for at opnå optimal ydeevne.

Relaterede links