Infineon N-Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101

RS-varenummer:: 827-0109
Elfa Distrelec varenummer:: 304-44-429
Producentens varenummer:: BSS806NEH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 250 enheder)*

Kr. 339,25

(ekskl. moms)

Kr. 424,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

10.250 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
250 +	Kr. 1,357	Kr. 339,25

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 827-0109
Elfa Distrelec varenummer:: 304-44-429
Producentens varenummer:: BSS806NEH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	2.3A
	Drain source spænding maks. Vds	20V
	Serie	OptiMOS 2
	Emballagetype	SOT-23
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	82mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	1.7nC
	Effektafsættelse maks. Pd	500mW
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	820mV
	Portkildespænding maks.	-8V, +8V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	1.3mm
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	2.9mm
	Højde	1mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.3A
	Drain source spænding maks. Vds 20V
	Serie OptiMOS 2
	Emballagetype SOT-23
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 82mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.7nC
	Effektafsættelse maks. Pd 500mW
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 820mV
	Portkildespænding maks. -8V, +8V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 1.3mm
	Standarder/godkendelser No
	Længde 2.9mm
	Højde 1mm
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Infineon OptiMOS 2 seriens MOSFET, 20 V maksimal drain source-spænding, 2,3 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSS806NEH6327XTSA1

Denne MOSFET er en N-kanal-forbedringsenhed med lille signal, der er designet til overflademonterede anvendelser, hvor der kræves kompakt skifteydeevne. Den er velegnet til brug i lavspændingstrin og styringskredsløb over et bredt temperaturområde og tilbyder funktionalitet, der understøtter både forbrugerelektronik og biler.

Egenskaber og fordele:

• Lav modstand ved tænding på 82 mΩ reducerer ledningstab og varme
• 20 V drain-source mærkeværdi muliggør sikker lavspændingsswitching
• 2,3 A kontinuerlig strøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 1.7 nC gate-opladning muliggør hurtige gate-drive-overgange
• 500 mW effekttab begrænser termisk belastning i trange layouts
• Port tåler op til 8 V for fleksible driftsspændinger

Anvendelser

• Velegnet til batteristyring og strømfordelingsmoduler
• Ideel til DC/DC-omformere i kompakte enheder
• Anvendes sammen med mikrocontrollerudgange til lavspændingsswitching
• Kan bruges til belastningsswitching i bilelektronik
• Anvendes til styring af signalniveauet i integrerede systemer

Hvilken pakke og monteringstype bruger den?

Den leveres i en SOT-23-pakke, der er designet til overflademontering for at spare plads på kortet og forenkle automatiseret placering.

Hvilke temperaturforhold kan den tåle under drift?

Den fungerer over et bredt termisk interval fra -55 °C op til 150 °C for at imødekomme barske miljøer og høje forbindelsestemperaturer.

Hvor mange ben er tilgængelige, og hvad er kanaltypen?

Der er tre ben, og enheden bruger en N-kanals ledningssti, der er konfigureret i forstærkning.

Hvad er den typiske fremadgående/bulk diode-karakteristik?

Enheden udviser en fremadgående spænding på 0,82 V på tværs af sin egen diode under typiske ledningsforhold.