Infineon N-Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 250 enheder)*

Kr. 173,50

(ekskl. moms)

Kr. 217,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 5.250 enhed(er) afsendes fra 02. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
250 +Kr. 0,694Kr. 173,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
827-0119
Elfa Distrelec varenummer:
304-44-421
Producentens varenummer:
BSS119NH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

190mA

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SOT-23

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

10Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

800mV

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.6nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

500mW

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

2.9mm

Højde

1mm

Bredde

1.3mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 100 V maksimal drain-kildespænding, 190 mA maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSS119NH6327XTSA1


Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-transistor, der er designet til koblings- og forstærkningsopgaver i kompakte elektroniske enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til krævende miljøer, og er beregnet til brug, hvor lav effekttab og beskeden strømkapacitet er acceptable. Enheden leveres i et 3-benet SOT-23-hus, der er optimeret til automatiseret printmontering.

Egenskaber og fordele:


• 100 V mærkeværdi fra drain til kilde muliggør højspændingskontaktkapacitet
• 10 Ω maks. Rds giver lave ledningstab til små belastninger
• 500 mW maks. effekttab styrer termisk belastning i kompakte kredsløb
• 190 mA kontinuerlig afløbsstrøm understøtter anvendelser med lav strømstyring
• 0,6 nC typisk gate-ladning muliggør hurtigere omskiftning med minimal drevenergi
• ±20 V gate-tolerance passer til et bredt område af gate-drev

Anvendelser


• Velegnet til omskiftning og styring af sensorsignaler i biler
• Ideel til generel strømstyring med lav strømstyrke
• Anvendes sammen med overvågningskredsløb til batteristyring i køretøjer
• Kan bruges til lav-signal højspændingsniveauskiftning
• Anvendes til gate-trin-drivere i konverterdesign med lavt strømforbrug

Hvilken monteringsmetode er nødvendig til printkortmontering?


Den er beregnet til overflademontering i et SOT-23-fodaftryk med tre terminaler, der er kompatibelt med standard pick-and-place-processer.

Hvordan opfører den sig over ekstreme temperaturer?


Den er normeret til drift fra -55 °C op til 150 °C og opretholder funktionaliteten på tværs af termiske områder i bilkvalitet.

Hvilke hensyn bør der tages til gate-driver?


Enheden accepterer op til ±20 V på porten og har en lav typisk portladning på 0,6 nC, hvilket reducerer driverens energikrav og muliggør mindre drevkredsløb.

Hvilken mekanisk indkapsling skal designere tillade?


Pakken måler 2,9 x 1,3 x 1 mm, hvilket muliggør tætte printkortlayouts, samtidig med at den giver den nødvendige krybeafstand for dens spændingsklasse.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.