Infineon N-Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 827-0119
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-44-421
- Producentens varenummer:
- BSS119NH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 250 enheder)*
Kr. 173,50
(ekskl. moms)
Kr. 217,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 5.250 enhed(er) afsendes fra 02. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 250 + | Kr. 0,694 | Kr. 173,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 827-0119
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-44-421
- Producentens varenummer:
- BSS119NH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 190mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 800mV | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.6nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 2.9mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 1.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 190mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 800mV | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.6nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 2.9mm | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 1.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 100 V maksimal drain-kildespænding, 190 mA maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSS119NH6327XTSA1
Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-transistor, der er designet til koblings- og forstærkningsopgaver i kompakte elektroniske enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til krævende miljøer, og er beregnet til brug, hvor lav effekttab og beskeden strømkapacitet er acceptable. Enheden leveres i et 3-benet SOT-23-hus, der er optimeret til automatiseret printmontering.
Egenskaber og fordele:
• 100 V mærkeværdi fra drain til kilde muliggør højspændingskontaktkapacitet
• 10 Ω maks. Rds giver lave ledningstab til små belastninger
• 500 mW maks. effekttab styrer termisk belastning i kompakte kredsløb
• 190 mA kontinuerlig afløbsstrøm understøtter anvendelser med lav strømstyring
• 0,6 nC typisk gate-ladning muliggør hurtigere omskiftning med minimal drevenergi
• ±20 V gate-tolerance passer til et bredt område af gate-drev
• 10 Ω maks. Rds giver lave ledningstab til små belastninger
• 500 mW maks. effekttab styrer termisk belastning i kompakte kredsløb
• 190 mA kontinuerlig afløbsstrøm understøtter anvendelser med lav strømstyring
• 0,6 nC typisk gate-ladning muliggør hurtigere omskiftning med minimal drevenergi
• ±20 V gate-tolerance passer til et bredt område af gate-drev
Anvendelser
• Velegnet til omskiftning og styring af sensorsignaler i biler
• Ideel til generel strømstyring med lav strømstyrke
• Anvendes sammen med overvågningskredsløb til batteristyring i køretøjer
• Kan bruges til lav-signal højspændingsniveauskiftning
• Anvendes til gate-trin-drivere i konverterdesign med lavt strømforbrug
• Ideel til generel strømstyring med lav strømstyrke
• Anvendes sammen med overvågningskredsløb til batteristyring i køretøjer
• Kan bruges til lav-signal højspændingsniveauskiftning
• Anvendes til gate-trin-drivere i konverterdesign med lavt strømforbrug
Hvilken monteringsmetode er nødvendig til printkortmontering?
Den er beregnet til overflademontering i et SOT-23-fodaftryk med tre terminaler, der er kompatibelt med standard pick-and-place-processer.
Hvordan opfører den sig over ekstreme temperaturer?
Den er normeret til drift fra -55 °C op til 150 °C og opretholder funktionaliteten på tværs af termiske områder i bilkvalitet.
Hvilke hensyn bør der tages til gate-driver?
Enheden accepterer op til ±20 V på porten og har en lav typisk portladning på 0,6 nC, hvilket reducerer driverens energikrav og muliggør mindre drevkredsløb.
Hvilken mekanisk indkapsling skal designere tillade?
Pakken måler 2,9 x 1,3 x 1 mm, hvilket muliggør tætte printkortlayouts, samtidig med at den giver den nødvendige krybeafstand for dens spændingsklasse.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 190 mA 100 V Forbedring SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 540 mA 55 V Forbedring SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 1.4 A 30 V Forbedring SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 2.3 A 20 V Forbedring SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 2.5 A 20 V Forbedring SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.5 A 30 V Forbedring SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.18 A 20 V Forbedring SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.6 A 30 V Forbedring SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
