Infineon N-Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS AEC-Q101

Indhold (3000 enheder, på en rulle med 3000)*

Kr. 819,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.023,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 0,273Kr. 819,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-5873
Producentens varenummer:
BSS119NH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

190mA

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SOT-23

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

10Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.6nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

500mW

Gennemgangsspænding Vf

800mV

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.3mm

Højde

1mm

Længde

2.9mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 100 V maksimal drain-kildespænding, 190 mA maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSS119NH6327XTSA1


Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-transistor, der er designet til koblings- og forstærkningsopgaver i kompakte elektroniske enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til krævende miljøer, og er beregnet til brug, hvor lav effekttab og beskeden strømkapacitet er acceptable. Enheden leveres i et 3-benet SOT-23-hus, der er optimeret til automatiseret printmontering.

Egenskaber og fordele:


• 100 V mærkeværdi fra drain til kilde muliggør højspændingskontaktkapacitet
• 10 Ω maks. Rds giver lave ledningstab til små belastninger
• 500 mW maks. effekttab styrer termisk belastning i kompakte kredsløb
• 190 mA kontinuerlig afløbsstrøm understøtter anvendelser med lav strømstyring
• 0,6 nC typisk gate-ladning muliggør hurtigere omskiftning med minimal drevenergi
• ±20 V gate-tolerance passer til et bredt område af gate-drev

Anvendelser


• Velegnet til omskiftning og styring af sensorsignaler i biler
• Ideel til generel strømstyring med lav strømstyrke
• Anvendes sammen med overvågningskredsløb til batteristyring i køretøjer
• Kan bruges til lav-signal højspændingsniveauskiftning
• Anvendes til gate-trin-drivere i konverterdesign med lavt strømforbrug

Hvilken monteringsmetode er nødvendig til printkortmontering?


Den er beregnet til overflademontering i et SOT-23-fodaftryk med tre terminaler, der er kompatibelt med standard pick-and-place-processer.

Hvordan opfører den sig over ekstreme temperaturer?


Den er normeret til drift fra -55 °C op til 150 °C og opretholder funktionaliteten på tværs af termiske områder i bilkvalitet.

Hvilke hensyn bør der tages til gate-driver?


Enheden accepterer op til ±20 V på porten og har en lav typisk portladning på 0,6 nC, hvilket reducerer driverens energikrav og muliggør mindre drevkredsløb.

Hvilken mekanisk indkapsling skal designere tillade?


Pakken måler 2,9 x 1,3 x 1 mm, hvilket muliggør tætte printkortlayouts, samtidig med at den giver den nødvendige krybeafstand for dens spændingsklasse.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.