Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS AEC-Q101 BSS119NH6327XTSA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.083,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.353,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 0,361Kr. 1.083,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-5873
Producentens varenummer:
BSS119NH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

190mA

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

OptiMOS

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

10Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.6nC

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Effektafsættelse maks. Pd

500mW

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

2.9mm

Bredde

1.3 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS™ småsignals MOSFETs


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links