Infineon N-Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 165-5873
- Producentens varenummer:
- BSS119NH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (3000 enheder, på en rulle med 3000)*
Kr. 819,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.023,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 0,273 | Kr. 819,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-5873
- Producentens varenummer:
- BSS119NH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 190mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.6nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 800mV | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.3mm | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 2.9mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 190mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.6nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 800mV | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.3mm | ||
Højde 1mm | ||
Længde 2.9mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 100 V maksimal drain-kildespænding, 190 mA maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSS119NH6327XTSA1
Egenskaber og fordele:
• 10 Ω maks. Rds giver lave ledningstab til små belastninger
• 500 mW maks. effekttab styrer termisk belastning i kompakte kredsløb
• 190 mA kontinuerlig afløbsstrøm understøtter anvendelser med lav strømstyring
• 0,6 nC typisk gate-ladning muliggør hurtigere omskiftning med minimal drevenergi
• ±20 V gate-tolerance passer til et bredt område af gate-drev
Anvendelser
• Ideel til generel strømstyring med lav strømstyrke
• Anvendes sammen med overvågningskredsløb til batteristyring i køretøjer
• Kan bruges til lav-signal højspændingsniveauskiftning
• Anvendes til gate-trin-drivere i konverterdesign med lavt strømforbrug
Hvilken monteringsmetode er nødvendig til printkortmontering?
Hvordan opfører den sig over ekstreme temperaturer?
Hvilke hensyn bør der tages til gate-driver?
Hvilken mekanisk indkapsling skal designere tillade?
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 190 mA 100 V Forbedring SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 540 mA 55 V Forbedring SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 1.4 A 30 V Forbedring SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 2.3 A 20 V Forbedring SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 2.5 A 20 V Forbedring SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.5 A 30 V Forbedring SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.18 A 20 V Forbedring SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.6 A 30 V Forbedring SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
