Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS AEC-Q101 BSS119NH6327XTSA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.083,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.353,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 0,361Kr. 1.083,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-5873
Producentens varenummer:
BSS119NH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

190mA

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SOT-23

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

10Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.6nC

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Effektafsættelse maks. Pd

500mW

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

1.3 mm

Højde

1mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

2.9mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS™ småsignals MOSFETs


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links