Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 1.6 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 165-6823
- Producentens varenummer:
- BSS308PEH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 165-6823
- Producentens varenummer:
- BSS308PEH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 130mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 2.9mm | |
| Bredde | 1.3mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie OptiMOS P | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 130mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1mm | ||
Længde 2.9mm | ||
Bredde 1.3mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS P seriens MOSFET, 30 V maksimal drain source-spænding, 130 mΩ maksimal drain source-modstand - BSS308PEH6327XTSA1
Denne MOSFET er en P-kanal-forbedringsenhed, der er designet til overflademonteret omskiftning og styring i kompakte elektroniske enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til krævende miljøer, og er bygget til at fungere, hvor der kræves kobling med lav spænding og moderat strøm. Enheden leveres i et SOT-23-pakke og er kompatibel med anvendelser i bilkvalitet.
Egenskaber og fordele:
• Lav modstand ved tænding på 130 mΩ reducerer ledningstab
• Mærket til 30 V drain-source-modstand til lavspændingssystemer
• Kontinuerlig afløbsstrøm på 1,6 A understøtter moderate belastninger
• Typisk gate-ladning på 5 nC muliggør hurtigere gate-switching
• Maksimal gate-source-spænding på 20 V giver robuste drevmargener
• Effekttabskapacitet på 500 mW hjælper med termisk styring
• Mærket til 30 V drain-source-modstand til lavspændingssystemer
• Kontinuerlig afløbsstrøm på 1,6 A understøtter moderate belastninger
• Typisk gate-ladning på 5 nC muliggør hurtigere gate-switching
• Maksimal gate-source-spænding på 20 V giver robuste drevmargener
• Effekttabskapacitet på 500 mW hjælper med termisk styring
Anvendelser
• Velegnet til belastningsafbrydelse i 12 V-autosystemer
• Ideel til batteribeskyttelse og strømvejskontrol
• Anvendes sammen med DC-DC-konverter indgangs-trins-switching
• Kan bruges til signalniveau-strømkobling i moduler
• Velegnet til kompakte strømkort til overflademontering
• Ideel til batteribeskyttelse og strømvejskontrol
• Anvendes sammen med DC-DC-konverter indgangs-trins-switching
• Kan bruges til signalniveau-strømkobling i moduler
• Velegnet til kompakte strømkort til overflademontering
Hvilke termiske ekstremer kan den tolerere under drift?
Den er specificeret til drift ned til -55 °C og op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med bred termisk variation.
Hvilken pakke og monteringsmetode bruger den?
Den leveres i en SOT-23-pakke, der er designet til overflademontering på printkortmoduler.
Hvordan opfører enheden sig med hensyn til gate-drive-design?
Med en maksimal VGS-klassificering på 20 V og en typisk gate-ladning på 5 nC kræver den beskeden drevkapacitet og hurtige gate-drivere for at opnå hurtig omskiftning.
Er enheden velegnet til krav til bilkvalitet?
Den er i overensstemmelse med AEC-Q101-standarderne, hvilket gør den acceptabel til mange elektroniske designs inden for biler.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 1.6 A 30 V Forbedring SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.5 A 30 V Forbedring SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.18 A 20 V Forbedring SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 1.6 A 30 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 1.6 A 100 V Forbedring SOT-23, ZXMP10A17E6 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 190 mA 100 V Forbedring SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 540 mA 55 V Forbedring SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 1.4 A 30 V Forbedring SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
