Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 9.4 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 827-4035
- Producentens varenummer:
- IRFR120NTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 68,60
(ekskl. moms)
Kr. 85,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 520 enhed(er) afsendes fra 25. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 3,43 | Kr. 68,60 |
| 200 - 480 | Kr. 2,674 | Kr. 53,48 |
| 500 - 980 | Kr. 2,566 | Kr. 51,32 |
| 1000 - 1980 | Kr. 2,506 | Kr. 50,12 |
| 2000 + | Kr. 2,442 | Kr. 48,84 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 827-4035
- Producentens varenummer:
- IRFR120NTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 210mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 48W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | Lead-Free | |
| Højde | 2.39mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 210mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 48W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser Lead-Free | ||
Højde 2.39mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal Power MOSFET 100 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 9.4 A 100 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 9.4 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 9.4 A 100 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 42 A 40 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 59 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 5 A 200 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 42 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 86 A 30 V Forbedring TO-252, HEXFET