Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 4.4 A 55 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET
- RS-varenummer:
- 830-3300
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-44-473
- Producentens varenummer:
- IRLL024NTRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 90,82
(ekskl. moms)
Kr. 113,52
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 200 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
- Plus 1.340 enhed(er) afsendes fra 15. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 4,541 | Kr. 90,82 |
| 100 - 180 | Kr. 3,127 | Kr. 62,54 |
| 200 - 480 | Kr. 2,947 | Kr. 58,94 |
| 500 - 980 | Kr. 2,719 | Kr. 54,38 |
| 1000 + | Kr. 2,543 | Kr. 50,86 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 830-3300
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-44-473
- Producentens varenummer:
- IRLL024NTRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 100mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.1W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.739mm | |
| Længde | 6.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 100mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.1W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.739mm | ||
Længde 6.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET 55 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 4.4 A 55 V Forbedring SOT-223, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 5.1 A 55 V Forbedring SOT-223, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 2.8 A 55 V Forbedring SOT-223, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 5.2 A 55 V Forbedring SOT-223, HEXFET
- Infineon 5 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 1.9 A 55 V HEXFET Fifth Generation
- Infineon Type N-Kanal 2.6 A 150 V Forbedring SOT-223, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 1.6 A 100 V HEXFET