Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 1.6 A 100 V, SOT-223, HEXFET Nej IRFL4310TRPBF
- RS-varenummer:
- 257-9394
- Producentens varenummer:
- IRFL4310TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 34,71
(ekskl. moms)
Kr. 43,39
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.850 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 3,471 | Kr. 34,71 |
| 100 - 240 | Kr. 3,306 | Kr. 33,06 |
| 250 - 490 | Kr. 3,231 | Kr. 32,31 |
| 500 - 990 | Kr. 3,022 | Kr. 30,22 |
| 1000 + | Kr. 1,743 | Kr. 17,43 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9394
- Producentens varenummer:
- IRFL4310TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Drain source modstand maks. Rds | 15mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | Lead-Free | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Drain source modstand maks. Rds 15mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser Lead-Free | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRFL-serien er 100 V enkelt n-kanals IR-mosfet i et SOT-223-hus. IR MOSFET-serien af effekt MOSFET'er benytter gennemprøvede siliciumprocesser, der giver designere et bredt udvalg af enheder til at understøtte forskellige anvendelser som f.eks. jævnstrømsmotorer, invertere, SMPS, belysning, belastningsomskiftere samt batteridrevne anvendelser. Enhederne kan leveres i en række overflademonterede og hulmonteringshuse med industristandarder for let design.
Planarcellestruktur til bred SOA
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz
Hus til overflademontering i industristandard
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 1 SOT-223 (TO-261AA), HEXFET IRFL4310TRPBF
- Infineon 5 A 55 V HEXFET IRLL024ZTRPBF
- Infineon N-Kanal 1 3 ben HEXFET IRLML0100TRPBF
- Infineon N-Kanal 4 3 ben HEXFET IRLL024NTRPBF
- Infineon N-Kanal 5 3 ben HEXFET IRFL4105TRPBF
- Infineon N-Kanal 2 4 ben HEXFET IRFL024NTRPBF
- Infineon N-Kanal 5 4 ben HEXFET IRFL024ZTRPBF
- Infineon N-Kanal 2 3 ben HEXFET IRLL014NTRPBF
