STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Forbedring, 3 Ben, H2PAK, DeepGate, STripFET

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 54,60

(ekskl. moms)

Kr. 68,24

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 28. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 27,30Kr. 54,60
10 - 18Kr. 25,88Kr. 51,76
20 - 48Kr. 23,34Kr. 46,68
50 - 98Kr. 21,02Kr. 42,04
100 +Kr. 20,01Kr. 40,02

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
860-7523
Producentens varenummer:
STH150N10F7-2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

110A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

H2PAK

Serie

DeepGate, STripFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3.9mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

250W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

117nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

10.4mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

4.8mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics


STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.