STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Forbedring, 3 Ben, H2PAK, DeepGate, STripFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 53,48

(ekskl. moms)

Kr. 66,84

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 02. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 26,74Kr. 53,48
10 - 18Kr. 25,395Kr. 50,79
20 - 48Kr. 22,89Kr. 45,78
50 - 98Kr. 20,605Kr. 41,21
100 +Kr. 19,60Kr. 39,20

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
860-7523
Producentens varenummer:
STH150N10F7-2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

110A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

H2PAK

Serie

DeepGate, STripFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3.9mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

117nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

250W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

4.8mm

Længde

10.4mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics


STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterede links