STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Forbedring, 3 Ben, H2PAK, DeepGate, STripFET
- RS-varenummer:
- 860-7523
- Producentens varenummer:
- STH150N10F7-2
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 54,60
(ekskl. moms)
Kr. 68,24
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
- Afsendelse fra 29. april 2027
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 27,30 | Kr. 54,60 |
| 20 - 98 | Kr. 24,025 | Kr. 48,05 |
| 100 - 198 | Kr. 21,46 | Kr. 42,92 |
| 200 + | Kr. 18,43 | Kr. 36,86 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 860-7523
- Producentens varenummer:
- STH150N10F7-2
- Brand:
- STMicroelectronics
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 110A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | H2PAK | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 117nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.8mm | |
| Bredde | 10.57mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 110A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype H2PAK | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 117nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.8mm | ||
Bredde 10.57mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 110 A 100 V Forbedring H2PAK STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 110 A 100 V Forbedring TO-220 STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 5 A 60 V Forbedring SOIC STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 120 A 60 V Forbedring TO-220 STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 180 A 100 V Forbedring H2PAK, STripFET H7
- STMicroelectronics N-Kanal 180 A 80 V Forbedring H2PAK, STripFET H7
- STMicroelectronics N-Kanal 180 A 100 V Forbedring H2PAK, STripFET H7
- STMicroelectronics N-Kanal 80 A 40 V Forbedring TO-252 STripFET AEC-Q101
