STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Forbedring, 3 Ben, H2PAK, DeepGate, STripFET
- RS-varenummer:
- 860-7523
- Producentens varenummer:
- STH150N10F7-2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 53,48
(ekskl. moms)
Kr. 66,84
(inkl. moms)
Tilføj 22 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 11. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 26,74 | Kr. 53,48 |
| 10 - 18 | Kr. 25,395 | Kr. 50,79 |
| 20 - 48 | Kr. 22,89 | Kr. 45,78 |
| 50 - 98 | Kr. 20,605 | Kr. 41,21 |
| 100 + | Kr. 19,60 | Kr. 39,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 860-7523
- Producentens varenummer:
- STH150N10F7-2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 110A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | H2PAK | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 117nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bredde | 10.57 mm | |
| Højde | 4.8mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 110A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype H2PAK | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 117nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Bredde 10.57 mm | ||
Højde 4.8mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 110 A 100 V Forbedring H2PAK
- STMicroelectronics Type N-Kanal 110 A 900 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 110 A 900 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101 SCT012H90G3AG
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring H2PAK
- STMicroelectronics Type N-Kanal 20 A 1200 V Forbedring H2PAK-2, SiC MOSFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 1200 V Forbedring H2PAK, STB37N60
- STMicroelectronics Type N-Kanal 33 A 1200 V Forbedring H2PAK, SCTH40N
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.5 A 1500 V Forbedring H2PAK, MDmesh
