STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 80 A 40 V, 3 ben, TO-220, STripFET F6 STP120N4F6
- RS-varenummer:
- 877-2955P
- Producentens varenummer:
- STP120N4F6
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 25 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 308,80
(ekskl. moms)
Kr. 386,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 25 - 245 | Kr. 12,352 |
| 250 - 495 | Kr. 9,91 |
| 500 - 995 | Kr. 8,738 |
| 1000 + | Kr. 7,164 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 877-2955P
- Producentens varenummer:
- STP120N4F6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 80 A | |
| Drain source spænding maks. | 40 V | |
| Kapslingstype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 4,3 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 4V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 2V | |
| Effektafsættelse maks. | 110 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V | |
| Bredde | 4.6mm | |
| Transistormateriale | Si | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 65 nC ved 10 V | |
| Længde | 10.4mm | |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Højde | 15.75mm | |
| Serie | STripFET F6 | |
| Gennemgangsspænding for diode | 1.1V | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 80 A | ||
Drain source spænding maks. 40 V | ||
Kapslingstype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 4,3 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 4V | ||
Mindste tærskelspænding for port 2V | ||
Effektafsættelse maks. 110 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -20 V, +20 V | ||
Bredde 4.6mm | ||
Transistormateriale Si | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 65 nC ved 10 V | ||
Længde 10.4mm | ||
Driftstemperatur maks. +175 °C | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
Højde 15.75mm | ||
Serie STripFET F6 | ||
Gennemgangsspænding for diode 1.1V | ||
- COO (Country of Origin):
- MA
N-kanal STripFET™ F6, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics