Infineon N-Kanal, MOSFET, 100 A 75 V, 3 ben, D2PAK (TO-263), HEXFET IRF1407STRLPBF
- RS-varenummer:
- 907-5179
- Producentens varenummer:
- IRF1407STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 8 enheder)*
Kr. 41,144
(ekskl. moms)
Kr. 51,432
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 16 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Pr stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 8 + | Kr. 5,143 | Kr. 41,14 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 907-5179
- Producentens varenummer:
- IRF1407STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 100 A | |
| Drain source spænding maks. | 75 V | |
| Kapslingstype | D2PAK (TO-263) | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 7 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Effektafsættelse maks. | 200 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V | |
| Transistormateriale | Si | |
| Længde | 10.67mm | |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 160 bryde ved 10 V | |
| Bredde | 4.83mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Højde | 9.65mm | |
| Gennemgangsspænding for diode | 1.3V | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 100 A | ||
Drain source spænding maks. 75 V | ||
Kapslingstype D2PAK (TO-263) | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 7 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Effektafsættelse maks. 200 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -20 V, +20 V | ||
Transistormateriale Si | ||
Længde 10.67mm | ||
Driftstemperatur maks. +175 °C | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 160 bryde ved 10 V | ||
Bredde 4.83mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Højde 9.65mm | ||
Gennemgangsspænding for diode 1.3V | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
N-kanal Power MOSFET fra 60 V til 80 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 100 A 75 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF1407STRLPBF
- Infineon N-Kanal 42 A 75 V HEXFET AUIRFR2407TRL
- Infineon N-Kanal 82 A 75 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF2807STRLPBF
- Infineon N-Kanal 128 A 75 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRFS3307ZTRLPBF
- Infineon N-Kanal 170 A 75 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRFS3207ZTRRPBF
- Infineon N-Kanal 128 A 75 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRFS3307ZTRRPBF
- Infineon N-Kanal 106 A 75 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF3808STRLPBF
- Infineon N-Kanal 260 A 75 V D2PAK (TO-263), HEXFET AUIRFS3107TRL
