Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 62 A 30 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
913-4036
Producentens varenummer:
IRLB8721PBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

62A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

TO-220

Serie

HEXFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

9mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

7.6nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

65W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

4.83 mm

Længde

10.67mm

Højde

9.02mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MX

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 30 V maksimal drainkildespænding, 62 A maksimal kontinuerlig drainstrøm - IRLB8721PBF


Denne MOSFET er en højtydende koblingsenhed, der er skræddersyet til forskellige anvendelser inden for elektronik og automatisering. Med en robust TO-220AB-pakke har den en kontinuerlig drain-strømkapacitet på 62A og kan håndtere en maksimal drain-source-spænding på 30V. Enheden fungerer effektivt over et bredt temperaturområde fra -55 °C til +175 °C, hvilket gør den velegnet til krævende miljøer.

Egenskaber og fordele


• Understøtter højfrekvente synkrone buck-omformere

• Udviklet til effektiv brug af høj strøm

• Fuldt karakteriseret for lavinespænding og -strøm

• Minimal gate-ladning forbedrer switching-ydelsen

• Alsidige monteringsmuligheder forenkler integrationen i design

Anvendelser


• Bruges i UPS- og invertersystemer

• Effektiv i højfrekvente isolerede DC-DC-omformere

• Velegnet til synkron ensretning i industrielle løsninger

• Nøglekomponent i strømforsyninger til computerprocessorer

Hvad er betydningen af enhedens lave Rds(on)?


Den lave Rds(on) sænker ledningstabet betydeligt, hvilket forbedrer den samlede effektivitet i strømkonverteringsapplikationer, hvilket er afgørende for at opretholde ydeevnen i højstrømsoperationer.

Hvordan påvirker den maksimale gate-tærskelspænding enhedens ydeevne?


Gate-tærskelspændingsområdet på 1,35V til 2,35V sikrer, at enheden kan styres pålideligt i forskellige applikationer, hvilket giver fleksibilitet i integrationen med forskellige drevkredsløb.

Hvilke overvejelser bør man gøre sig i forbindelse med varmestyring i applikationer?


I betragtning af den maksimale effektafledning på 65 W skal der implementeres passende varmestyringsstrategier, som f.eks. brug af en passende kølelegeme, for at forhindre overophedning og sikre pålidelig drift.

Kan denne MOSFET bruges i bilindustrien?


Ja, den er designet til at fungere effektivt i højtemperaturmiljøer, hvilket gør den velegnet til bilindustrien, hvor termisk variation er et problem.

Relaterede links