Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 4.3 A 12 V Forbedring, 3 Ben, Mikro, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.830,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.280,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 231.000 enhed(er) afsendes fra 30. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 0,61Kr. 1.830,00
6000 - 6000Kr. 0,58Kr. 1.740,00
9000 +Kr. 0,543Kr. 1.629,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
919-4713
Producentens varenummer:
IRLML6401TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.3A

Drain source spænding maks. Vds

12V

Serie

HEXFET

Emballagetype

Mikro

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

50mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

8 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.3W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.04mm

Højde

1.02mm

Bredde

1.4 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
PH

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 4,3 A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 1,3 W maksimal effektafledning - IRLML6401TRPBF


Denne P-kanal-MOSFET er designet til effektivitet, hvilket gør den velegnet til applikationer, der kræver effektiv strømstyring. Ved hjælp af HEXFET-teknologi giver den lav on-modstand, hvilket resulterer i reduceret effekttab under drift. Det robuste design gør den i stand til at modstå høje temperaturer, hvilket gør den velegnet til miljøer, hvor ydeevnen er afgørende.

Egenskaber og fordele


• Avanceret behandling for meget lav tændingsmodstand

• Maksimal drain-kildespænding på 12 V

• Kontinuerlig strømkapacitet på 4,3A

• Tolerance for tilslutningstemperatur op til 150 °C

• Optimeret til applikationer med hurtige skift, hvilket øger effektiviteten

• Kompakt SOT-23-pakke til pladsbesparende kredsløbsdesign

Anvendelsesområder


• Batteri- og belastningsstyringssystemer

• Bærbar elektronik, hvor der er behov for komponenter med lav profil

• Strømstyringsløsninger i PCMCIA-kort

• Automatiseringssystemer, der kræver pålidelig omskiftning

• Elektroniske kredsløb med behov for et kompakt overflademonteret design

Hvad er effekten af højere temperaturer på ydeevnen?


Højere temperaturer kan øge on-modstanden og potentielt reducere effektiviteten. Enheden fungerer sikkert op til 150 °C og bevarer funktionaliteten under udfordrende forhold.

Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen driften?


Gate-tærskelspændingen, mellem 0,4V og 0,95V, angiver den mindste spænding, der er nødvendig for at aktivere enheden. Hvis man holder sig inden for dette område, sikrer man en effektiv omskiftning af belastningen.

Er dette produkt egnet til applikationer med hurtig omskiftning?


Ja, MOSFET'en muliggør hurtige overgange mellem tændt og slukket tilstand, hvilket reducerer energitabet og forbedrer kredsløbets reaktionsevne.

Hvilke forholdsregler skal man tage under installationen?


Det anbefales at bruge en passende køleplade, når man arbejder tæt på den maksimale strømstyrke for at forhindre overophedning. Korrekte loddeteknikker anbefales på grund af dens overflademonterede design.

Kan denne enhed bruges til applikationer med høj effekt?


Enheden kan kontinuerligt håndtere 4,3A; men det er vigtigt at evaluere den specifikke applikations strømkrav og varmestyring for at opnå optimal ydeevne.

Relaterede links