Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 14 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 919-4860
- Producentens varenummer:
- IRF9530NPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 210,50
(ekskl. moms)
Kr. 263,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 150 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 750 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 13.750 enhed(er) afsendes fra 27. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 4,21 | Kr. 210,50 |
| 100 - 200 | Kr. 4,00 | Kr. 200,00 |
| 250 - 450 | Kr. 3,831 | Kr. 191,55 |
| 500 - 1200 | Kr. 3,578 | Kr. 178,90 |
| 1250 + | Kr. 3,367 | Kr. 168,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 919-4860
- Producentens varenummer:
- IRF9530NPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 200mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 58nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 79W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 8.77mm | |
| Bredde | 4.69 mm | |
| Længde | 10.54mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 200mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 58nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 79W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 8.77mm | ||
Bredde 4.69 mm | ||
Længde 10.54mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 14A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 79W maksimal effektafledning - IRF9530NPBF
Denne MOSFET er designet til højeffektive anvendelser inden for automatisering, elektronik og elektriske sektorer. Dens P-kanal-konfiguration forbedrer switching-ydelsen, hvilket gør den vigtig for strømstyringssystemer. Enheden fungerer effektivt i forskellige miljøer og leverer en ensartet ydelse under udfordrende forhold, hvilket gør den til en vigtig komponent for ingeniører og designere, der ønsker holdbarhed og effektivitet.
Egenskaber og fordele
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 14A for robust ydeevne
• Kompatibel med drain-source-spændinger på op til 100V for alsidighed
• Lav tændingsmodstand på 200mΩ forbedrer strømeffektiviteten
• TO-220AB-pakningsdesign letter montering og varmeafledning
• Enhancement mode-drift sikrer pålidelig skifteydelse
• Høj gate-tærskelspænding på 4V giver mulighed for effektiv kontrol
Anvendelsesområder
• Velegnet til integration i strømforsyningskredsløb
• Bruges i motorstyringssystemer for at forbedre effektiviteten
• Anvendes i effektomformere til forbedret energistyring
• Ideel til strømafbrydelse i elektroniske apparater
• Anvendes i højstrøms-driverkredsløb for pålidelighed
Hvordan kan driftstemperaturområdet påvirke brugen?
Enheden fungerer effektivt mellem -55 °C og +175 °C, hvilket muliggør funktionalitet under ekstreme forhold uden at gå på kompromis med ydeevnen.
Hvad er konsekvenserne af specifikationen for maksimalt strømforbrug?
Med en maksimal effektafledning på 79 W kan komponenten klare store belastningskrav, hvilket sikrer stabil drift og lang levetid i højtydende miljøer.
Kan den bruges i parallelle konfigurationer for at øge strømkapaciteten?
Ja, det kan arrangeres parallelt for at fordele strømbelastninger effektivt, forudsat at den termiske styring er passende.
Hvilke forholdsregler skal man tage under installationen?
Korrekt varmeafledning er afgørende for at forhindre overophedning; er det vigtigt at sikre, at den termiske modstand stemmer overens med systemets specifikationer for at sikre pålidelighed på lang sigt.
Hvordan påvirker valg af enhed kredsløbets samlede ydeevne?
Ved at vælge de rette specifikationer forbedres kredsløbseffektiviteten, hvilket reducerer strømtab og forbedrer den samlede systemydelse, især i applikationer med høj efterspørgsel.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 14 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej IRF9530NPBF
- Infineon Type P-Kanal 40 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 23 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 19 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 74 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 12 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 74 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej IRF4905PBF
