Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 42 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- RS-varenummer:
- 919-4873
- Producentens varenummer:
- IRFP150NPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 25 enheder)*
Kr. 223,35
(ekskl. moms)
Kr. 279,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 175 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 8,934 | Kr. 223,35 |
| 50 - 100 | Kr. 8,488 | Kr. 212,20 |
| 125 - 225 | Kr. 8,129 | Kr. 203,23 |
| 250 - 600 | Kr. 7,773 | Kr. 194,33 |
| 625 + | Kr. 7,235 | Kr. 180,88 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 919-4873
- Producentens varenummer:
- IRFP150NPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 42A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 36mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 110nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 160W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 20.3mm | |
| Længde | 15.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 42A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 36mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 110nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 160W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 20.3mm | ||
Længde 15.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 42A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 160W maksimal effektafledning - IRFP150NPBF
Denne MOSFET er designet til højtydende applikationer, der kræver effektiv switching. Med sin N-kanalskonfiguration kan den effektivt håndtere store strømbelastninger, hvilket gør den til en nøglekomponent i forskellige elektroniske kredsløb og strømstyringssystemer. Dens evne til at fungere over et bredt temperaturområde øger dens tilpasningsevne i forskellige miljøer.
Egenskaber og fordele
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 42A
• Maksimal drain-source-spænding på 100V
• Lav Rds(on) på 36mΩ for øget effektivitet
• Maksimal effektafledning på 160W
• Udnytter enhancement mode til forbedret drift
• Integreret i en TO-247AC-pakke til enkel montering
Anvendelsesområder
• Anvendes i strømforsyningskredsløb til automatiseringsenheder
• Velegnet til motorstyring i industrielle maskiner
• Anvendes i vedvarende energisystemer til effektiv strømkonvertering
• Anvendelig til højfrekvent switching i telekommunikation
Kan den bruges i miljøer med høje temperaturer?
Ja, den fungerer effektivt ved temperaturer op til +175 °C, hvilket gør det muligt at bruge den under vanskelige forhold.
Hvad er den maksimale gate-source-spænding, den kan klare?
Enheden er designet til at håndtere en maksimal gate-source-spænding på -20V og +20V, hvilket giver varierede muligheder for kredsløbsdesign.
Hvordan gavner den lave Rds(on) ydeevnen?
En lav Rds(on) minimerer strømtab under drift og forbedrer dermed den samlede effektivitet og varmestyring.
Er den egnet til montering gennem et hul?
Ja, TO-247AC-pakken er specielt beregnet til montering gennem huller.
Hvilke overvejelser skal man gøre sig under installationen?
Sørg for, at enheden er tilstrækkeligt afkølet under drift for at opretholde optimal ydeevne og forhindre overophedning.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 42 A 100 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 270 A 60 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 43 A 43 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 100 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 65 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 81 A 55 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 57 A 100 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 57 A 250 V Forbedring TO-247, HEXFET