Seneste søgninger

    Infineon N-Kanal, MOSFET, 36 A 100 V, 3 ben, TO-220AB, HEXFET IRL540NPBF

    RS-varenummer:
    919-4882
    Producentens varenummer:
    IRL540NPBF
    Brand:
    Infineon
    Infineon
    Se alle MOSFET
    100 lager for afsendelse samme dag
    1150 enheder til afsendelse inden for 1 arbejdsdag(e) (UK lager)
    Add to Basket
    Enheder

    Tilføjet

    Pris Pr. stk. (i rør á 50)

    kr 11,561

    (ekskl. moms)

    kr 14,451

    (inkl. moms)

    EnhederPr stk.Per Tube*
    50 - 50kr 11,561kr 578,05
    100 - 200kr 11,213kr 560,65
    250 - 450kr 10,867kr 543,35
    500 +kr 10,404kr 520,20
    RS-varenummer:
    919-4882
    Producentens varenummer:
    IRL540NPBF
    Brand:
    Infineon
    COO (Country of Origin):
    MX

    Lovgivning og oprindelsesland

    COO (Country of Origin):
    MX

    Generel produktinformation

    N-kanal Power MOSFET 100 V, Infineon


    Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.


    MOSFET-transistorer, Infineon


    Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

    Egenskaber

    AttributeValue
    KanaltypeN
    Drain-strøm kontinuerlig maks.36 A
    Drain source spænding maks.100 V
    KapslingstypeTO-220AB
    MonteringstypeHulmontering
    Benantal3
    Drain source modstand maks.44 mΩ
    KanalformEnhancement
    Maks. tærskelspænding for port2V
    Mindste tærskelspænding for port1V
    Effektafsættelse maks.140 W
    TransistorkonfigurationEnkelt
    Gate source spænding maks.-16 V, +16 V
    Driftstemperatur maks.+175 °C
    Antal elementer per chip1
    TransistormaterialeSi
    Gate-ladning ved Vgs typisk74 nC ved 5 V
    Driftstemperatur min.-55 °C
    Højde8.77mm
    SerieHEXFET
    100 lager for afsendelse samme dag
    1150 enheder til afsendelse inden for 1 arbejdsdag(e) (UK lager)
    Add to Basket
    Enheder

    Tilføjet

    Pris Pr. stk. (i rør á 50)

    kr 11,561

    (ekskl. moms)

    kr 14,451

    (inkl. moms)

    EnhederPr stk.Per Tube*
    50 - 50kr 11,561kr 578,05
    100 - 200kr 11,213kr 560,65
    250 - 450kr 10,867kr 543,35
    500 +kr 10,404kr 520,20