Seneste søgninger

    Infineon N-Kanal, MOSFET, 36 A 100 V, 3 ben, TO-220AB, HEXFET IRL540NPBF

    RS-varenummer:
    541-1219
    Producentens varenummer:
    IRL540NPBF
    Brand:
    Infineon
    Infineon
    Se alle MOSFET
    58 lager for afsendelse samme dag
    365 enheder til afsendelse inden for 1 arbejdsdag(e) (UK lager)
    Add to Basket
    Enheder

    Tilføjet

    Pris (Leveres Pr. stk.)

    kr 12,72

    (ekskl. moms)

    kr 15,90

    (inkl. moms)

    EnhederPr stk.
    1 - 9kr 12,72
    10 - 14kr 11,38
    15 - 19kr 10,25
    20 - 24kr 9,43
    25 +kr 8,76
    RS-varenummer:
    541-1219
    Producentens varenummer:
    IRL540NPBF
    Brand:
    Infineon

    Lovgivning og oprindelsesland


    Generel produktinformation

    N-kanal Power MOSFET 100 V, Infineon


    Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.


    MOSFET-transistorer, Infineon


    Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

    Egenskaber

    AttributeValue
    KanaltypeN
    Drain-strøm kontinuerlig maks.36 A
    Drain source spænding maks.100 V
    KapslingstypeTO-220AB
    MonteringstypeHulmontering
    Benantal3
    Drain source modstand maks.44 mΩ
    KanalformEnhancement
    Maks. tærskelspænding for port2V
    Mindste tærskelspænding for port1V
    Effektafsættelse maks.140 W
    TransistorkonfigurationEnkelt
    Gate source spænding maks.-16 V, +16 V
    Antal elementer per chip1
    Driftstemperatur maks.+175 °C
    TransistormaterialeSi
    Gate-ladning ved Vgs typisk74 nC ved 5 V
    Højde8.77mm
    Driftstemperatur min.-55 °C
    SerieHEXFET
    58 lager for afsendelse samme dag
    365 enheder til afsendelse inden for 1 arbejdsdag(e) (UK lager)
    Add to Basket
    Enheder

    Tilføjet

    Pris (Leveres Pr. stk.)

    kr 12,72

    (ekskl. moms)

    kr 15,90

    (inkl. moms)

    EnhederPr stk.
    1 - 9kr 12,72
    10 - 14kr 11,38
    15 - 19kr 10,25
    20 - 24kr 9,43
    25 +kr 8,76