Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 36 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 912-8598
- Producentens varenummer:
- AUIRF540Z
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 690,80
(ekskl. moms)
Kr. 863,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 450 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 13,816 | Kr. 690,80 |
| 100 - 200 | Kr. 11,19 | Kr. 559,50 |
| 250 - 450 | Kr. 10,693 | Kr. 534,65 |
| 500 - 950 | Kr. 10,417 | Kr. 520,85 |
| 1000 + | Kr. 10,168 | Kr. 508,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 912-8598
- Producentens varenummer:
- AUIRF540Z
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 36A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 26.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 92W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 16.51mm | |
| Bredde | 4.82 mm | |
| Længde | 10.66mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 36A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 26.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 92W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 16.51mm | ||
Bredde 4.82 mm | ||
Længde 10.66mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
N-kanal Power MOSFET til brug i biler, Infineon
Infineons omfattende udvalg af AECQ-101 helstøbte N-kanal-enheder til brug i biler henvender sig til en bred vifte af strømkrav i mange anvendelser. Denne serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 36 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET AEC-Q101 AUIRF540Z
- Infineon Type N-Kanal 36 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 20 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 230 A 75 V Forbedring TO-220, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 36 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej IRL540NPBF
- Infineon Type N-Kanal 36 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej IRF540ZPBF
- Infineon Type N-Kanal 20 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET AEC-Q101 IRFI540NPBF
- Infineon Type P-Kanal 230 A 75 V Forbedring TO-220, HEXFET AEC-Q101 AUIRF6215