Infineon N-Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 541-2470
- Elfa Distrelec varenummer:
- 303-41-337
- Producentens varenummer:
- IRFI540NPBF
- Brand:
- Infineon
Få rabat ved storkøb
Tilføj 10 flere for at gemme Kr. 13,40
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 15,63
(ekskl. moms)
Kr. 19,54
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 53 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 625 enhed(er) afsendes fra 18. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 15,63 | - |
| 10 - 49 | Kr. 14,29 | Kr. 13,40 |
| 50 - 99 | Kr. 13,09 | Kr. 127,00 |
| 100 - 249 | Kr. 12,19 | Kr. 344,00 |
| 250 + | Kr. 11,22 | Kr. 1.102,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 541-2470
- Elfa Distrelec varenummer:
- 303-41-337
- Producentens varenummer:
- IRFI540NPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 52mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 54W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 94nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.63mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.83mm | |
| Højde | 8.9mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 52mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 54W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 94nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.63mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.83mm | ||
Højde 8.9mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 20A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 54W maksimal effektafledning - IRFI540NPBF
Denne MOSFET er udviklet til højtydende anvendelser i elektronikindustrien, hvor den spiller en afgørende rolle i strømstyring og giver en pålidelig løsning til at skifte og forstærke elektroniske signaler. Den kan håndtere betydelige spændings- og strømbelastninger, hvilket sikrer effektivitet i moderne elektroniske enheder.
Egenskaber og fordele
• Kontinuerlig afløbsstrøm på op til 20A
• Spændingsvurdering på 100V for holdbar ydelse
• Lav gate-tærskelspænding forbedrer skifteeffektiviteten
• Høj effektafledningsevne på op til 54W for holdbarhed
• N-kanals forstærkningsmodusdesign til en række forskellige anvendelser
• Lav drain-source modstand på 52 mΩ minimerer energitab
Anvendelsesområder
• Bruges i strømforsyninger til elektroniske kredsløb
• Anvendelig i strømstyringssystemer til biler
• Bruges i motorstyringssystemer for at øge effektiviteten
• Vigtigt for strømkonvertering i vedvarende energisystemer
• Anvendes i automatiserede maskiner til effektive kontrolprocesser
Hvad er den maksimale kontinuerlige strømstyrke for denne enhed?
Enheden understøtter en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 20A, hvilket imødekommer forskellige anvendelser.
Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen ydeevnen?
Gate-tærskelspændingen varierer fra 2V til 4V, hvilket muliggør effektiv switching ved lavere kontrolspændinger og forbedrer ydeevnen.
Kan denne enhed fungere i miljøer med høje temperaturer?
Ja, den kan fungere ved temperaturer på op til +175 °C, hvilket sikrer ydeevne under udfordrende forhold.
Er der en bestemt monteringstype, der anbefales for at opnå optimal ydelse?
Den er velegnet til montering gennem huller, hvilket giver sikre forbindelser og effektiv varmestyring i forskellige applikationer.
N-kanal Power MOSFET 100 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 20 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 36 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 76 A 200 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 95 A 60 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 46 A 250 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 35 A 150 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 120 A 40 V Forbedring HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 230 A 75 V Forbedring TO-220, HEXFET AEC-Q101