Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET AEC-Q101 IRFI540NPBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 280,50

(ekskl. moms)

Kr. 350,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.150 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 5,61Kr. 280,50
100 - 200Kr. 4,819Kr. 240,95
250 - 450Kr. 4,696Kr. 234,80
500 - 950Kr. 4,572Kr. 228,60
1000 +Kr. 4,46Kr. 223,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
166-1055
Producentens varenummer:
IRFI540NPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

52mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

94nC

Effektafsættelse maks. Pd

54W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

4.83 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.63mm

Højde

8.9mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 20A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 54W maksimal effektafledning - IRFI540NPBF


Denne MOSFET er udviklet til højtydende anvendelser i elektronikindustrien, hvor den spiller en afgørende rolle i strømstyring og giver en pålidelig løsning til at skifte og forstærke elektroniske signaler. Den kan håndtere betydelige spændings- og strømbelastninger, hvilket sikrer effektivitet i moderne elektroniske enheder.

Egenskaber og fordele


• Kontinuerlig afløbsstrøm på op til 20A

• Spændingsvurdering på 100V for holdbar ydelse

• Lav gate-tærskelspænding forbedrer skifteeffektiviteten

• Høj effektafledningsevne på op til 54W for holdbarhed

• N-kanals forstærkningsmodusdesign til en række forskellige anvendelser

• Lav drain-source modstand på 52 mΩ minimerer energitab

Anvendelsesområder


• Bruges i strømforsyninger til elektroniske kredsløb

• Anvendelig i strømstyringssystemer til biler

• Bruges i motorstyringssystemer for at øge effektiviteten

• Vigtigt for strømkonvertering i vedvarende energisystemer

• Anvendes i automatiserede maskiner til effektive kontrolprocesser

Hvad er den maksimale kontinuerlige strømstyrke for denne enhed?


Enheden understøtter en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 20A, hvilket imødekommer forskellige anvendelser.

Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen ydeevnen?


Gate-tærskelspændingen varierer fra 2V til 4V, hvilket muliggør effektiv switching ved lavere kontrolspændinger og forbedrer ydeevnen.

Kan denne enhed fungere i miljøer med høje temperaturer?


Ja, den kan fungere ved temperaturer på op til +175 °C, hvilket sikrer ydeevne under udfordrende forhold.

Er der en bestemt monteringstype, der anbefales for at opnå optimal ydelse?


Den er velegnet til montering gennem huller, hvilket giver sikre forbindelser og effektiv varmestyring i forskellige applikationer.

N-kanal Power MOSFET 100 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links