Infineon N-Kanal, MOSFET, 9.7 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 541-1180
- Elfa Distrelec varenummer:
- 303-41-279
- Producentens varenummer:
- IRF520NPBF
- Brand:
- Infineon
Få rabat ved storkøb
Tilføj 25 flere for at gemme Kr. 31,75
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 10,32
(ekskl. moms)
Kr. 12,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 10 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 414 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 1.157 enhed(er) afsendes fra 18. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 1 - 24 | Kr. 10,32 | - |
| 25 - 49 | Kr. 9,05 | Kr. 31,75 |
| 50 - 99 | Kr. 8,68 | Kr. 82,00 |
| 100 - 249 | Kr. 8,08 | Kr. 224,00 |
| 250 + | Kr. 7,26 | Kr. 765,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 541-1180
- Elfa Distrelec varenummer:
- 303-41-279
- Producentens varenummer:
- IRF520NPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 200mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 48W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 8.77mm | |
| Længde | 10.54mm | |
| Bredde | 4.69mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 200mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 48W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 8.77mm | ||
Længde 10.54mm | ||
Bredde 4.69mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 9,7 A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 48 W maksimal effektafledning - IRF520NPBF
Denne MOSFET bruger avanceret HEXFET-teknologi til at give høj ydeevne til forskellige anvendelser. Med en kontinuerlig drain-strøm på 9,7 A og en maksimal drain-source-spænding på 100 V er det en velegnet komponent til elektroniske kredsløb. Dens forbedrede design sikrer effektiv drift i forskellige miljøer, hvilket gør den til et praktisk valg for fagfolk inden for automatisering og elektronik.
Egenskaber og fordele
• Høj strømkapacitet på 9,7A forbedrer ydeevnen
• Robust design sikrer funktionalitet under ekstreme forhold
• Lav tændingsmodstand på 200mΩ minimerer strømtab
• Hurtige skiftefunktioner forbedrer effektiviteten
• Kompatibel med TO-220AB-pakken for nem installation
Anvendelsesområder
• Strømstyring i automatiseringssystemer
• Switching i elektriske kredsløb
• Motordrevne kredsløb for forbedret effektivitet
• Højfrekvent inden for elektronik
Hvordan påvirker den lave on-resistance ydeevnen?
Den lave tændingsmodstand reducerer varmeudviklingen og øger effektiviteten, hvilket resulterer i en forbedret samlet ydeevne i kraftapplikationer ved at minimere energitab.
Hvilken betydning har temperaturintervallet?
Det brede driftstemperaturområde sikrer ensartet ydeevne i forskellige miljøer og passer effektivt til anvendelser ved både høje og lave temperaturer.
Kan denne komponent håndtere korte impulser med højere strømstyrke?
Ja, den kan håndtere pulserende afløbsstrømme på op til 38 A, hvilket gør den velegnet til transiente forhold i elektroniske kredsløb.
Hvilke overvejelser skal jeg gøre mig, når jeg installerer?
Sørg for passende kølelegemer som angivet i databladet for at styre varmeafledningen effektivt under drift, især under høj belastning.
Hvordan fungerer enheden under hurtige skift?
Dens hurtige skiftehastighed understøtter effektiv drift i applikationer, der kræver hurtige responstider, hvilket gør den til et alsidigt valg til moderne elektroniske designs.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 9.7 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 9.7 A 100 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 76 A 200 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 95 A 60 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 46 A 250 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 35 A 150 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 120 A 40 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 169 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET