Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 9.7 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

RS-varenummer:: 541-1180
Elfa Distrelec varenummer:: 303-41-279
Producentens varenummer:: IRF520NPBF
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 9.7 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 3,59

(ekskl. moms)

Kr. 4,49

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

39 enhed(er) klar til afsendelse
Plus 106 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.
1 - 24	Kr. 3,59
25 - 49	Kr. 3,14
50 - 99	Kr. 3,07
100 - 249	Kr. 2,77
250 +	Kr. 2,54

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 541-1180
Elfa Distrelec varenummer:: 303-41-279
Producentens varenummer:: IRF520NPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	9.7A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Emballagetype	TO-220
	Serie	HEXFET
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	200mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Effektafsættelse maks. Pd	48W
	Portkildespænding maks.	20 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	25nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	4.69 mm
	Højde	8.77mm
	Længde	10.54mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.7A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Emballagetype TO-220
	Serie HEXFET
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 200mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Effektafsættelse maks. Pd 48W
	Portkildespænding maks. 20 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 4.69 mm
	Højde 8.77mm
	Længde 10.54mm
	Bilindustristandarder Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 9,7 A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 48 W maksimal effektafledning - IRF520NPBF

Denne MOSFET bruger avanceret HEXFET-teknologi til at give høj ydeevne til forskellige anvendelser. Med en kontinuerlig drain-strøm på 9,7 A og en maksimal drain-source-spænding på 100 V er det en velegnet komponent til elektroniske kredsløb. Dens forbedrede design sikrer effektiv drift i forskellige miljøer, hvilket gør den til et praktisk valg for fagfolk inden for automatisering og elektronik.

Egenskaber og fordele

• Høj strømkapacitet på 9,7A forbedrer ydeevnen

• Robust design sikrer funktionalitet under ekstreme forhold

• Lav tændingsmodstand på 200mΩ minimerer strømtab

• Hurtige skiftefunktioner forbedrer effektiviteten

• Kompatibel med TO-220AB-pakken for nem installation

Anvendelsesområder

• Strømstyring i automatiseringssystemer

• Switching i elektriske kredsløb

• Motordrevne kredsløb for forbedret effektivitet

• Højfrekvent inden for elektronik

Hvordan påvirker den lave on-resistance ydeevnen?

Den lave tændingsmodstand reducerer varmeudviklingen og øger effektiviteten, hvilket resulterer i en forbedret samlet ydeevne i kraftapplikationer ved at minimere energitab.

Hvilken betydning har temperaturintervallet?

Det brede driftstemperaturområde sikrer ensartet ydeevne i forskellige miljøer og passer effektivt til anvendelser ved både høje og lave temperaturer.

Kan denne komponent håndtere korte impulser med højere strømstyrke?

Ja, den kan håndtere pulserende afløbsstrømme på op til 38 A, hvilket gør den velegnet til transiente forhold i elektroniske kredsløb.

Hvilke overvejelser skal jeg gøre mig, når jeg installerer?

Sørg for passende kølelegemer som angivet i databladet for at styre varmeafledningen effektivt under drift, især under høj belastning.

Hvordan fungerer enheden under hurtige skift?

Dens hurtige skiftehastighed understøtter effektiv drift i applikationer, der kræver hurtige responstider, hvilket gør den til et alsidigt valg til moderne elektroniske designs.