Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 230 A 75 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 249-6869
- Producentens varenummer:
- AUIRF6215
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 963,25
(ekskl. moms)
Kr. 1.204,05
(inkl. moms)
Tilføj 50 enheder for at opnå gratis levering
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 19,265 | Kr. 963,25 |
| 100 - 200 | Kr. 17,339 | Kr. 866,95 |
| 250 + | Kr. 16,375 | Kr. 818,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 249-6869
- Producentens varenummer:
- AUIRF6215
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 230A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 230A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET Power MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav on-modstand pr. silikoneområde. Denne fordel kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.
Avanceret planlæggerteknologi
LowOn - modstand
Dynamisk DV/DT-klassificering
175 C driftstemperatur
Hurtigt skift
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 230 A 75 V Forbedring TO-220, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 74 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 12 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 23 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 14 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 19 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 40 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET