Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 81 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- RS-varenummer:
- 919-4892
- Producentens varenummer:
- IRFP054NPBF
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 919-4892
- Producentens varenummer:
- IRFP054NPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 81A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 130nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 170W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 20.3mm | |
| Længde | 15.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 81A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 130nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 170W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 20.3mm | ||
Længde 15.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 81A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 170W maksimal effektafledning - IRFP054NPBF
Denne MOSFET giver en robust løsning til højhastighedsydelse og effektiv strømstyring. Med sin N-kanal-konfiguration sikrer enheden pålidelig drift på tværs af forskellige elektroniske kredsløb. Den kan klare kontinuerlige afløbsstrømme på op til 81 A og har en nominel spænding på 55 V, hvilket gør den til et godt valg for fagfolk inden for automatisering, elektronik og mekanik.
Egenskaber og fordele
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 81A understøtter højtydende applikationer
• Lav tændingsmodstand på 12mΩ bidrager til forbedret effektivitet
• Bredt gate-tærskelspændingsområde giver mulighed for alsidige kredsløbsdesigns
• Høj effektafledningsevne på 170W sikrer langvarig drift
• Kompakt TO-247AC-pakke forenkler installationen
Anvendelsesområder
• Bruges i strømkonvertering og motorstyringssystemer
• Integreret i strømforsynings- og forstærkerkredsløb
• Anvendes i vedvarende energisystemer til effektiv omskiftning
• Velegnet til bilindustrien, forbedrer ydeevnen og modstandsdygtigheden
Hvad er den maksimale effektafledningskapacitet for denne enhed?
Den maksimale effektafledning er opgivet til 170 W, så den kan håndtere store belastninger effektivt.
Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen driften?
Gate-tærskelspændingen varierer fra 2V til 4V, hvilket muliggør kompatibilitet med forskellige kredsløbsdesign og sikrer effektiv drift inden for specificerede parametre.
Kan denne MOSFET bruges i miljøer med høje temperaturer?
Ja, den fungerer inden for et temperaturområde på -55 °C til +175 °C, hvilket gør den velegnet til udfordrende termiske forhold.
Hvad er fordelene ved at bruge en lav RDS(on)?
En lav RDS(on) på 12mΩ reducerer varmeudviklingen og forbedrer effektiviteten, hvilket er afgørende for højtydende applikationer.
Er det nemt at installere i eksisterende elektroniske systemer?
TO-247AC-pakken er designet til montering gennem huller, hvilket gør den nem at installere i forskellige applikationer.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 81 A 55 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 160 A 55 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 81 A 20 V Forbedring DirectFET, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 270 A 60 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 43 A 43 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 100 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 65 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET