Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 81 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 25 enheder)*

Kr. 411,175

(ekskl. moms)

Kr. 513,975

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 25 enhed(er) afsendes fra 22. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
25 - 25Kr. 16,447Kr. 411,18
50 - 100Kr. 15,624Kr. 390,60
125 - 225Kr. 14,966Kr. 374,15
250 - 600Kr. 14,308Kr. 357,70
625 +Kr. 13,323Kr. 333,08

*Vejledende pris

RS-varenummer:
919-4892
Producentens varenummer:
IRFP054NPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

81A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

TO-247

Serie

HEXFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

12mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

130nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

170W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.3 mm

Højde

20.3mm

Længde

15.9mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MX

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 81A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 170W maksimal effektafledning - IRFP054NPBF


Denne MOSFET giver en robust løsning til højhastighedsydelse og effektiv strømstyring. Med sin N-kanal-konfiguration sikrer enheden pålidelig drift på tværs af forskellige elektroniske kredsløb. Den kan klare kontinuerlige afløbsstrømme på op til 81 A og har en nominel spænding på 55 V, hvilket gør den til et godt valg for fagfolk inden for automatisering, elektronik og mekanik.

Egenskaber og fordele


• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 81A understøtter højtydende applikationer

• Lav tændingsmodstand på 12mΩ bidrager til forbedret effektivitet

• Bredt gate-tærskelspændingsområde giver mulighed for alsidige kredsløbsdesigns

• Høj effektafledningsevne på 170W sikrer langvarig drift

• Kompakt TO-247AC-pakke forenkler installationen

Anvendelsesområder


• Bruges i strømkonvertering og motorstyringssystemer

• Integreret i strømforsynings- og forstærkerkredsløb

• Anvendes i vedvarende energisystemer til effektiv omskiftning

• Velegnet til bilindustrien, forbedrer ydeevnen og modstandsdygtigheden

Hvad er den maksimale effektafledningskapacitet for denne enhed?


Den maksimale effektafledning er opgivet til 170 W, så den kan håndtere store belastninger effektivt.

Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen driften?


Gate-tærskelspændingen varierer fra 2V til 4V, hvilket muliggør kompatibilitet med forskellige kredsløbsdesign og sikrer effektiv drift inden for specificerede parametre.

Kan denne MOSFET bruges i miljøer med høje temperaturer?


Ja, den fungerer inden for et temperaturområde på -55 °C til +175 °C, hvilket gør den velegnet til udfordrende termiske forhold.

Hvad er fordelene ved at bruge en lav RDS(on)?


En lav RDS(on) på 12mΩ reducerer varmeudviklingen og forbedrer effektiviteten, hvilket er afgørende for højtydende applikationer.

Er det nemt at installere i eksisterende elektroniske systemer?


TO-247AC-pakken er designet til montering gennem huller, hvilket gør den nem at installere i forskellige applikationer.

Relaterede links