Semikron Danfoss, IGBT-modul, N-Kanal, 469 A 1200 V, 11 Ben, SEMiX3p Overflade

Dobbelte IGBT-moduler fra Semikron i moderne SEMiX® lavprofils-huse, der passer til half-bridge-effektstyring. Modulerne har loddefri fjeder- eller press-fit-kontakter, der gør det muligt at montere en gate-driver direkte oven på modulet, hvilket sparer plads og giver større pålidelighed ved tilslutning. Typiske anvendelser omfatter ac-frekvensomformere, nødstrømsanlæg, elektronisk svejsning og vedvarende energisystemer.

• Lavprofils lodde-frit monteringshus

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.