STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 54 A 600 V 70 ns, 3 Ben, TO-247 Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 428,16

(ekskl. moms)

Kr. 535,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 360 enhed(er) afsendes fra 06. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 - 60Kr. 14,272Kr. 428,16
90 - 480Kr. 13,314Kr. 399,42
510 - 960Kr. 12,973Kr. 389,19
990 +Kr. 12,659Kr. 379,77

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-6464
Producentens varenummer:
STGW20NC60VD
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

54A

Produkttype

IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

167W

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

70ns

Min. driftstemperatur

-55°C

Portsenderspænding maks.

±20 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.7V

Driftstemperatur maks.

150°C

Serie

SMPS

Længde

15.75mm

Højde

20.15mm

Standarder/godkendelser

JEDEC

Bilindustristandarder

Nej

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links