STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 54 A 600 V 70 ns, 3 Ben, TO-247 Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 25,73

(ekskl. moms)

Kr. 32,16

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 41 enhed(er) afsendes fra 06. april 2026
  • Plus 61 enhed(er) afsendes fra 06. april 2026
  • Plus 372 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 25,73
10 - 99Kr. 24,09
100 - 499Kr. 23,34
500 - 999Kr. 22,74
1000 +Kr. 22,14

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
686-8354
Producentens varenummer:
STGW20NC60VD
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

54A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

167W

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

70ns

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.7V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portsenderspænding maks.

±20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

15.75mm

Højde

20.15mm

Standarder/godkendelser

JEDEC

Serie

SMPS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links