Vishay, IGBT, Type P-Kanal, 8 Ben, PowerPAK SO-8 Overflade

RS-varenummer:: 180-7802
Producentens varenummer:: SI7489DP-T1-E3
Brand:: Vishay

Vishay, IGBT, Type P-Kanal, 8 Ben, PowerPAK SO-8 Overflade

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 34,32

(ekskl. moms)

Kr. 42,90

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Udgår

25 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Sidste 2.345 enhed(er) afsendes fra 17. april 2026

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 +	Kr. 6,864	Kr. 34,32

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7802
Producentens varenummer:: SI7489DP-T1-E3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	IGBT
	Effektafsættelse maks. Pd	83W
	Emballagetype	PowerPAK SO-8
	Monteringstype	Overflade
	Kanaltype	Type P
	Benantal	8
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portsenderspænding maks.	50 V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	IEC 61249-2-21
	Længde	6.25mm
	Højde	1.12mm
	Nominel energi	61mJ
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype IGBT
	Effektafsættelse maks. Pd 83W
	Emballagetype PowerPAK SO-8
	Monteringstype Overflade
	Kanaltype Type P
	Benantal 8
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portsenderspænding maks. 50 V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21
	Længde 6.25mm
	Højde 1.12mm
	Nominel energi 61mJ
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret P-kanal SO-8 MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 100 V og en maksimal gate-source spænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 41 m ved en gate-kildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 83 W og kontinuerlig drænstrøm på 28 A. Den har en min. og en maks. driftsspænding på hhv. 4,5 V og 10 V. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• nyt PowerPAK hus med lav termisk modstand og lav 1,07 mm profil

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• PWM optimeret

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder

• half-bridge motordrev

• ikke-synkrone buck-konvertere til højspænding

• Belastningskontakter

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21