SI7489DP-T1-E3, IGBT
- RS-varenummer:
- 180-7802
- Producentens varenummer:
- SI7489DP-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 90,21
(ekskl. moms)
Kr. 112,76
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Udgår
- Plus 30 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
- Sidste 2.415 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 18,042 | Kr. 90,21 |
| 50 - 120 | Kr. 16,246 | Kr. 81,23 |
| 125 - 245 | Kr. 13,538 | Kr. 67,69 |
| 250 - 495 | Kr. 13,00 | Kr. 65,00 |
| 500 + | Kr. 12,268 | Kr. 61,34 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7802
- Producentens varenummer:
- SI7489DP-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret P-kanal SO-8 MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 100 V og en maksimal gate-source spænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 41 m ved en gate-kildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 83 W og kontinuerlig drænstrøm på 28 A. Den har en min. og en maks. driftsspænding på hhv. 4,5 V og 10 V. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• nyt PowerPAK hus med lav termisk modstand og lav 1,07 mm profil
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• PWM optimeret
• TrenchFET Power MOSFET
• nyt PowerPAK hus med lav termisk modstand og lav 1,07 mm profil
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• PWM optimeret
• TrenchFET Power MOSFET
Anvendelsesområder
• half-bridge motordrev
• ikke-synkrone buck-konvertere til højspænding
• Belastningskontakter
• ikke-synkrone buck-konvertere til højspænding
• Belastningskontakter
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21