STGF30H65DFB2, IGBT, 50 A 650 V, 3 ben, TO-220FP 1
- RS-varenummer:
- 204-9873
- Producentens varenummer:
- STGF30H65DFB2
- Brand:
- STMicroelectronics
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
- RS-varenummer:
- 204-9873
- Producentens varenummer:
- STGF30H65DFB2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 50 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 650 V | |
| Gate emitter spænding maks. | ±20V | |
| Antal transistorer | 1 | |
| Effektafsættelse maks. | 50 W | |
| Kapslingstype | TO-220FP | |
| Benantal | 3 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 50 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 650 V | ||
Gate emitter spænding maks. ±20V | ||
Antal transistorer 1 | ||
Effektafsættelse maks. 50 W | ||
Kapslingstype TO-220FP | ||
Benantal 3 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 serien repræsenterer en udvikling af Advanced proprietære Trench gate feltstop struktur. HB2-seriens ydeevne er optimeret med hensyn til overledning, takket være en bedre VCE(sat) adfærd ved lave strømværdier samt med hensyn til reduceret switching-energi.
Maksimal samledstemperatur: TJ = 175 °C.
Lav VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 30 A.
Meget hurtig og blød genindvindingsdiode
Minimeret halestrøm
Stram parameterfordeling
Lav termisk modstand
Lav VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 30 A.
Meget hurtig og blød genindvindingsdiode
Minimeret halestrøm
Stram parameterfordeling
Lav termisk modstand