Infineon, IC til IGBT-enkelt transistor, Type N-Kanal, 26 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Overflade
- RS-varenummer:
- 215-6627
- Producentens varenummer:
- IGB15N60TATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 4.194,00
(ekskl. moms)
Kr. 5.242,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 4,194 | Kr. 4.194,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-6627
- Producentens varenummer:
- IGB15N60TATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | IC til IGBT-enkelt transistor | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 26A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 600V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 130W | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Kanaltype | Type N | |
| Benantal | 3 | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC1 | |
| Serie | TRENCHSTOPTM | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype IC til IGBT-enkelt transistor | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 26A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 600V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 130W | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Kanaltype Type N | ||
Benantal 3 | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC1 | ||
Serie TRENCHSTOPTM | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon bipolær transistor med lavt tab og isoleret gate med fieldstop-teknologi.
Højeffektiv
Lavt koblingstab
Øget pålidelighed
Lav elektromagnetisk interferens
Relaterede links
- IGB15N60TATMA1 26 A 600 V PG-TO263-3
- IGB50N60TATMA1 90 A 600 V PG-TO263-3
- AIKW50N60CTXKSA1 80 A 600 V PG-TO263-3
- Infineon 41 A 600 V PG-TO263-3 Hulmontering
- Infineon 40 A 600 V PG-TO263-3 Hulmontering
- Infineon 60 A 600 V 239 ns PG-TO263-3 Hulmontering
- IGB15N65S5ATMA1 PG-TO263-3
- IKB15N65EH5ATMA1 30 A 650 V PG-TO263-3