Infineon, IC til IGBT-enkelt transistor, Type N-Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Overflade
- RS-varenummer:
- 215-6649
- Producentens varenummer:
- IKB40N65EF5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 11.346,00
(ekskl. moms)
Kr. 14.182,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 24. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 11,346 | Kr. 11.346,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-6649
- Producentens varenummer:
- IKB40N65EF5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | IC til IGBT-enkelt transistor | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 74A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 650V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Kanaltype | Type N | |
| Benantal | 3 | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Portsenderspænding maks. | ±30 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC47/20/22 | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype IC til IGBT-enkelt transistor | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 74A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 650V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Kanaltype Type N | ||
Benantal 3 | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Portsenderspænding maks. ±30 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC47/20/22 | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon højhastigheds, hurtigt skiftende isoleret gate bipolær transistor med fuld mærkestrøm Rapid 1 hurtig og blød antiparallel diode.
Højeffektiv
Lavt koblingstab
Øget pålidelighed
Lav elektromagnetisk interferens
Relaterede links
- IKB40N65EF5ATMA1 74 A 650 V PG-TO263-3
- IKB15N65EH5ATMA1 30 A 650 V PG-TO263-3
- IKB40N65ES5ATMA1 79 A 650 V PG-TO263-3
- AIGW40N65H5XKSA1 74 A 650 V PG-TO247-3
- IGP40N65H5XKSA1 74 A 650 V PG-TO220-3
- AIKW40N65DF5XKSA1 74 A 650 V PG-TO247-3
- IKB40N65EH5ATMA1 74 A 650 V PG-TO247-3
- IKP40N65H5XKSA1 74 A 650 V PG-TO220-3