FP10R12W1T4BOMA1, IGBT-modul, 20 A 1200 V 7
- RS-varenummer:
- 244-5383
- Producentens varenummer:
- FP10R12W1T4BOMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bakke af 24 enheder)*
Kr. 6.202,968
(ekskl. moms)
Kr. 7.753,704
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder | Per stk. | Pr bakke* |
|---|---|---|
| 24 - 24 | Kr. 258,457 | Kr. 6.202,97 |
| 48 + | Kr. 245,534 | Kr. 5.892,82 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-5383
- Producentens varenummer:
- FP10R12W1T4BOMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 20 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 1200 V | |
| Gate emitter spænding maks. | +/-20V | |
| Effektafsættelse maks. | 105 W | |
| Antal transistorer | 7 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 20 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 1200 V | ||
Gate emitter spænding maks. +/-20V | ||
Effektafsættelse maks. 105 W | ||
Antal transistorer 7 | ||
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.
Electrical features
Low switching losses
Trench IGBT 3
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
Al2O3 substrate with low thermal resistance
Compact design
Solder contact technology
Rugged mounting due to integrated mounting clamps
Low switching losses
Trench IGBT 3
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
Al2O3 substrate with low thermal resistance
Compact design
Solder contact technology
Rugged mounting due to integrated mounting clamps