Semikron Danfoss, IGBT-modul, Type N-Kanal Dobbelt halv bro, 100 A 1200 V, 7 Ben, SEMITRANS 2 Panelkabinet

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 1.632,56

(ekskl. moms)

Kr. 2.040,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • 2 tilbage, klar til afsendelse
  • Plus 150 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 1.632,56
2 - 4Kr. 1.550,83
5 - 9Kr. 1.474,23
10 - 19Kr. 1.399,13
20 +Kr. 1.328,90

*Vejledende pris

RS-varenummer:
468-2410
Producentens varenummer:
SKM100GB125DN
Brand:
Semikron Danfoss
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Semikron Danfoss

Produkttype

IGBT-modul

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

100A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1200V

Antal transistorer

2

Konfiguration

Dobbelt halv bro

Emballagetype

SEMITRANS

Monteringstype

Panelkabinet

Kanaltype

Type N

Benantal

7

Min. driftstemperatur

150°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

3.85V

Portsenderspænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

-40°C

Længde

94.5mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

30.5mm

Bilindustristandarder

Nej

Dobbelte IGBT-moduler


Et udvalg af SEMITOP® IGBT-moduler fra Semikron med to serietilsluttede (halv bro) IGBT-enheder. Modulerne findes i en lang række spændings- og strømværdier og er velegnede til en bred vifte af effektomkoblingsapplikationer, f.eks. ac-frekvensomformere og nødstrømsforsyninger.

Kompakt SEMITOP® hus

Velegnet til switching-frekvenser op til 12 kHz

Isoleret kobberbundplade, der anvender teknologi med direkte bundet kobber

IGBT moduler, Semikron


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links