GT30J121, IGBT, N-Kanal, 30 A 600 V 1MHz, 3 ben, TIL-3P Enkelt
- RS-varenummer:
- 796-5058
- Producentens varenummer:
- GT30J121
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 33,66
(ekskl. moms)
Kr. 42,08
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 13 enhed(er) afsendes fra 10. november 2025
- Plus 31 enhed(er) afsendes fra 10. november 2025
- Plus 81 enhed(er) afsendes fra 17. november 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Pr stk. |
|---|---|
| 1 - 24 | Kr. 33,66 |
| 25 - 49 | Kr. 31,94 |
| 50 - 199 | Kr. 30,14 |
| 200 - 399 | Kr. 26,93 |
| 400 + | Kr. 25,13 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 796-5058
- Producentens varenummer:
- GT30J121
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 30 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 600 V | |
| Gate emitter spænding maks. | ±20V | |
| Effektafsættelse maks. | 170 W | |
| Kapslingstype | TIL-3P | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 1MHz | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Dimensioner | 15.9 x 4.8 x 20mm | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 30 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 600 V | ||
Gate emitter spænding maks. ±20V | ||
Effektafsættelse maks. 170 W | ||
Kapslingstype TIL-3P | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 1MHz | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Dimensioner 15.9 x 4.8 x 20mm | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
IGBT diskrete, Toshiba
IGBT diskrete halvledere og moduler, Toshiba
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Relaterede links
- GT30J121 N-Kanal 3 ben, TIL-3P Enkelt
- STGWT20V60DF N-Kanal 3 ben, TIL-3P Enkelt
- GT50JR22 N-Kanal 3 ben, TIL-3P Enkelt
- GT50JR21 N-Kanal 3 ben, TIL-3P Enkelt
- STGWT60V60DLF N-Kanal 3 ben, TIL-3P Enkelt
- STGW30V60DF N-Kanal 3 ben, TO-247 Enkelt
- STGF15H60DF N-Kanal 3 ben, TO-220FP Enkelt
- STGW30V60F N-Kanal 3 ben, TO-247 Enkelt