SK 150 MLI 066 T, IGBT-modul, N-Kanal, 151 A 600 V, 70 ben, SEMITOP4 Serie

Seriekonfigurationen af disse Semikron Quad IGBT-moduler gør dem til den perfekte løsning til anvendelser, der kræver en højtydende 3-niveau topologi. Disse kompakte printmonterede SEMITOP 3-moduler har enkelthulsopspænding med fremragende varmeoverførsel og udnytter Trench IGBT-teknologi. Typiske anvendelser omfatter 3-niveau DC-AC-invertere og UPS-strømforsyninger.

IGBT moduler, Semikron

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.