SK 150 MLI 066 T, IGBT-modul, N-Kanal, 151 A 600 V, 70 ben, SEMITOP4 Serie
- RS-varenummer:
- 905-6166
- Producentens varenummer:
- SK 150 MLI 066 T
- Brand:
- Semikron Danfoss
Indhold (1 enhed)*
Kr. 1.422,70
(ekskl. moms)
Kr. 1.778,38
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 1.422,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 905-6166
- Producentens varenummer:
- SK 150 MLI 066 T
- Brand:
- Semikron Danfoss
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Semikron Danfoss | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 151 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 600 V | |
| Gate emitter spænding maks. | ±20V | |
| Konfiguration | Serie | |
| Kapslingstype | SEMITOP4 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 70 | |
| Transistorkonfiguration | Serie | |
| Dimensioner | 55 x 60.25 x 15.08mm | |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C | |
| Driftstemperatur min. | -40 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Semikron Danfoss | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 151 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 600 V | ||
Gate emitter spænding maks. ±20V | ||
Konfiguration Serie | ||
Kapslingstype SEMITOP4 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 70 | ||
Transistorkonfiguration Serie | ||
Dimensioner 55 x 60.25 x 15.08mm | ||
Driftstemperatur maks. +175 °C | ||
Driftstemperatur min. -40 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- IT
Firdobbelte IGBT-moduler
Seriekonfigurationen af disse Semikron Quad IGBT-moduler gør dem til den perfekte løsning til anvendelser, der kræver en højtydende 3-niveau topologi. Disse kompakte printmonterede SEMITOP 3-moduler har enkelthulsopspænding med fremragende varmeoverførsel og udnytter Trench IGBT-teknologi. Typiske anvendelser omfatter 3-niveau DC-AC-invertere og UPS-strømforsyninger.
IGBT moduler, Semikron
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
