STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 4 A 1700 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, STGAP2

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 2000 enheder)*

Kr. 26.928,00

(ekskl. moms)

Kr. 33.660,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 14. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
2000 +Kr. 13,464Kr. 26.928,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
152-179
Producentens varenummer:
STGAP2SICSNC
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4A

Drain source spænding maks. Vds

1700V

Emballagetype

SO-8

Serie

STGAP2

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1GΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±30 V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

125°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

1.75mm

Længde

5mm

Bredde

4 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
TW
STMicroelectronics enkelt gate-driver, der giver galvanisk isolation mellem gate-drivkanalen og lavspændingsstyring og interfacekredsløb. Gate-driveren er kendetegnet ved en kapacitet på 4 A og rail-to-rail-udgange, hvilket også gør enheden velegnet til applikationer med mellemhøj og høj effekt, såsom strømkonvertering og motordriverinvertere i industrielle applikationer.

Separat sink- og source-mulighed for nem konfiguration af gate-drivning

4 A Miller CLAMP dedikeret pin-mulighed

UVLO-funktion

Gate-drivningsspænding op til 26 V

Relaterede links