STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 7.5 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8
- RS-varenummer:
- 188-8543
- Producentens varenummer:
- STS7NF60L
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 114,89
(ekskl. moms)
Kr. 143,61
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 7.280 enhed(er) afsendes fra 25. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 11,489 | Kr. 114,89 |
| 50 - 90 | Kr. 10,913 | Kr. 109,13 |
| 100 - 240 | Kr. 9,814 | Kr. 98,14 |
| 250 - 490 | Kr. 8,826 | Kr. 88,26 |
| 500 + | Kr. 8,408 | Kr. 84,08 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-8543
- Producentens varenummer:
- STS7NF60L
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 21mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.65mm | |
| Længde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 21mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.65mm | ||
Længde 5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Power MOSFET er den seneste udvikling af STMicroelectrionis unikke "Single Feature size™" strip-baserede proces. Den resulterende transistor viser ekstremt høj pakketæthed for lav modstand, robuste lavineegenskaber og mindre kritiske justeringstrin, hvilket er en bemærkelsesværdig produktionsreproducerbarhed.
TYPISK RDS(ON) = 0,017 Ω
DREV MED LAV TÆRSKEL
STANDARDOVERSIGT FOR LET AUTOMATISERET MONTERING PÅ OVERFLADE
ANVENDELSER
DC-MOTORDREV
DC-DC-KONVERTERE
BATTERISTYRING INOMADIC-UDSTYR
IPORTABLE/STATIONÆRE PC'ER TIL STRØMSTYRING