ROHM 2 Type N-Kanal, MOSFET, 7 A 100 V Forbedring, 8 Ben, HSMT-8, HT8K Nej HT8KE5TB1

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 10 enheder)*

Kr. 39,05

(ekskl. moms)

Kr. 48,81

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
10 - 90Kr. 3,905Kr. 39,05
100 - 240Kr. 3,71Kr. 37,10
250 - 490Kr. 3,426Kr. 34,26
500 - 990Kr. 3,157Kr. 31,57
1000 +Kr. 3,044Kr. 30,44

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
264-874
Producentens varenummer:
HT8KE5TB1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

7A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

HSMT-8

Serie

HT8K

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

193mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

13W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

2.9nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

ROHM power MOSFET har en dobbelt N-kanal konfiguration med en spænding på 100V og en strømkapacitet på 7A. Designet i en HSOP8-pakke og med lav on-modstand.

Lav modstand ved tændt

Lille overflademonteret pakke (HSOP8)

Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel

Halogenfri

Relaterede links