ROHM 2 Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 100 V Forbedring, 8 Ben, HSMT-8, HT8K Nej HT8KE6TB1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 10 enheder)*

Kr. 61,04

(ekskl. moms)

Kr. 76,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
10 - 90Kr. 6,104Kr. 61,04
100 - 240Kr. 5,797Kr. 57,97
250 - 490Kr. 5,371Kr. 53,71
500 - 990Kr. 4,944Kr. 49,44
1000 +Kr. 4,757Kr. 47,57

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
264-876
Producentens varenummer:
HT8KE6TB1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

13A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

HSMT-8

Serie

HT8K

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

57mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.7nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

14W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

ROHM power MOSFET har en dobbelt N-kanal konfiguration med en spænding på 100V og en strømkapacitet på 13A. Designet i en HSOP8-pakke og med lav on-modstand.

Lav modstand ved tændt

Lille overflademonteret pakke (HSOP8)

Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel

Halogenfri

Relaterede links