ROHM 2 Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 100 V Forbedring, 8 Ben, HSMT-8, HT8K

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 bånd af 10 enheder)*

Kr. 61,04

(ekskl. moms)

Kr. 76,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 100 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr bånd*
10 - 90Kr. 6,104Kr. 61,04
100 - 240Kr. 5,797Kr. 57,97
250 - 490Kr. 5,371Kr. 53,71
500 - 990Kr. 4,944Kr. 49,44
1000 +Kr. 4,757Kr. 47,57

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
264-876
Producentens varenummer:
HT8KE6TB1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

13A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

HSMT-8

Serie

HT8K

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

57mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

14W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.7nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

ROHM power MOSFET har en dobbelt N-kanal konfiguration med en spænding på 100V og en strømkapacitet på 13A. Designet i en HSOP8-pakke og med lav on-modstand.

Lav modstand ved tændt

Lille overflademonteret pakke (HSOP8)

Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel

Halogenfri

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.