ROHM 2 Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 100 V Forbedring, 8 Ben, HSMT-8, HT8K

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 579,70

(ekskl. moms)

Kr. 724,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
100 - 240Kr. 5,797
250 - 490Kr. 5,371
500 - 990Kr. 4,944
1000 +Kr. 4,757

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
264-876P
Producentens varenummer:
HT8KE6TB1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

13A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

HT8K

Emballagetype

HSMT-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

57mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.7nC

Effektafsættelse maks. Pd

14W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

ROHM power MOSFET har en dobbelt N-kanal konfiguration med en spænding på 100V og en strømkapacitet på 13A. Designet i en HSOP8-pakke og med lav on-modstand.

Lav modstand ved tændt

Lille overflademonteret pakke (HSOP8)

Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel

Halogenfri

Relaterede links