Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PG-TSON-8, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 284-752
- Producentens varenummer:
- IQE022N06LM5CGSCATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 86,06
(ekskl. moms)
Kr. 107,575
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 100 enhed(er) afsendes fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 17,212 | Kr. 86,06 |
| 50 - 95 | Kr. 16,352 | Kr. 81,76 |
| 100 - 495 | Kr. 15,14 | Kr. 75,70 |
| 500 - 995 | Kr. 13,942 | Kr. 69,71 |
| 1000 + | Kr. 13,42 | Kr. 67,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 284-752
- Producentens varenummer:
- IQE022N06LM5CGSCATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 99A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | PG-TSON-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 99A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype PG-TSON-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET er en effekttransistor, der er konstrueret til høj ydeevne i switch mode-strømforsyninger, hvilket sikrer pålidelighed i krævende applikationer. Den er designet inden for OptiMOS 5 serien og giver fremragende effektivitet og lav modstand ved tænding, hvilket gør den til et ideelt valg til synkron ensretning. Med sin Pb-fri og RoHS-kompatible konstruktion opfylder produktet ikke kun de nyeste miljøstandarder, men sikrer også en robust ydeevne under forskellige forhold. Denne transistor har avanceret termisk styring og er lavinrangeret, hvilket sikrer sikrere drift og holdbarhed i kritiske miljøer. Dens evne til at drive på logisk niveau giver mulighed for problemfri integration i en lang række elektroniske systemer, hvilket yderligere eksemplificerer dens alsidighed og stabile ydeevne.
Optimeret til højeffektiv strømkonvertering
Lav modstand for forbedret ydeevne
Pb-frit design til overholdelse af miljøkrav
Lavine-testet for øget pålidelighed
Logikniveau-drev forenkler lavspændingsinterfacing
Termisk modstand for effektiv varmestyring
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-TSON-8, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon 1 Type N-Kanal 8 Ben OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon N-Kanal 151 A 60 V PG-TSON-8, OptiMOS IQE022N06LM5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 656 A 40 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS-TM6
- Infineon Type N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 99 A 30 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 7.2 A 650 V Forbedring PG-TSON-8, IGLR65
