Infineon N-Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PG-TSON-8, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 284-752
- Producentens varenummer:
- IQE022N06LM5CGSCATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 176,38
(ekskl. moms)
Kr. 220,48
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 25 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 35,276 | Kr. 176,38 |
| 50 - 95 | Kr. 33,54 | Kr. 167,70 |
| 100 - 495 | Kr. 31,028 | Kr. 155,14 |
| 500 - 995 | Kr. 28,558 | Kr. 142,79 |
| 1000 + | Kr. 27,496 | Kr. 137,48 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 284-752
- Producentens varenummer:
- IQE022N06LM5CGSCATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 99A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | PG-TSON-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 99A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype PG-TSON-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET er en effekttransistor, der er konstrueret til høj ydeevne i switch mode-strømforsyninger, hvilket sikrer pålidelighed i krævende applikationer. Den er designet inden for OptiMOS 5 serien og giver fremragende effektivitet og lav modstand ved tænding, hvilket gør den til et ideelt valg til synkron ensretning. Med sin Pb-fri og RoHS-kompatible konstruktion opfylder produktet ikke kun de nyeste miljøstandarder, men sikrer også en robust ydeevne under forskellige forhold. Denne transistor har avanceret termisk styring og er lavinrangeret, hvilket sikrer sikrere drift og holdbarhed i kritiske miljøer. Dens evne til at drive på logisk niveau giver mulighed for problemfri integration i en lang række elektroniske systemer, hvilket yderligere eksemplificerer dens alsidighed og stabile ydeevne.
Optimeret til højeffektiv strømkonvertering
Lav modstand for forbedret ydeevne
Pb-frit design til overholdelse af miljøkrav
Lavine-testet for øget pålidelighed
Logikniveau-drev forenkler lavspændingsinterfacing
Termisk modstand for effektiv varmestyring
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-TSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon 1 N-Kanal 194 A 120 V Forbedring PG-TSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon N-Kanal 656 A 40 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS-TM6
- Infineon N-Kanal 510 A 60 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 339 A 60 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 394 A 60 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 460 A 60 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS
