Infineon N-Kanal, MOSFET, 205 A 100 V, 3 ben, PG-TO220-3, OptiMOS IPP018N10N5AKSA1

Infineons MOSFET-funktioner er designet til at levere enestående effektivitet og pålidelighed og passer til en lang række anvendelser. Med sin innovative struktur gør den det muligt at skifte ved høj hastighed og samtidig sikre lave ledningstab, hvilket gør den til et ideelt valg til strømstyringssystemer og industrielle applikationer. Produktet udmærker sig ved sin førsteklasses termiske ydeevne, der gør det muligt at arbejde effektivt under høj belastning. Den er konstrueret til at give optimal effekttæthed og sikrer, at pladsbegrænsninger i systemer ikke går ud over ydeevnen. Uanset om den bruges i bilindustrien eller i vedvarende energiteknologi, er denne MOSFET en robust løsning, der opfylder kravene til moderne elektronisk design.

Mulighed for at skifte ved høj hastighed
Lavt ledningstab øger effektiviteten
Optimeret til overlegen termisk ydeevne
Robust drift under høje belastningsforhold
Understøtter behov for kompakt effekttæthed
Alsidig til bilindustrien og vedvarende energi