Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 100 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO220-3, OptiMOSa5
- RS-varenummer:
- 273-3018
- Producentens varenummer:
- IPP039N10N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 44,88
(ekskl. moms)
Kr. 56,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 376 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 22,44 | Kr. 44,88 |
| 10 - 18 | Kr. 20,42 | Kr. 40,84 |
| 20 - 24 | Kr. 20,01 | Kr. 40,02 |
| 26 - 48 | Kr. 18,70 | Kr. 37,40 |
| 50 + | Kr. 17,24 | Kr. 34,48 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-3018
- Producentens varenummer:
- IPP039N10N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOSa5 | |
| Emballagetype | PG-TO220-3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 76nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 188W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie OptiMOSa5 | ||
Emballagetype PG-TO220-3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 76nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 188W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon power MOSFET i et TO-220 hus, der er velegnet til højfrekvent skifte og synkron ensretning.
Højeste systemeffektivitet
Reduceret skifte- og ledningstab
Færre paralleller er påkrævet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 100 A 100 V Forbedring PG-TO220-3, OptiMOSa5
- Infineon Type N-Kanal 112 A 150 V Forbedring PG-TO262-3, OptiMOSa5
- Infineon Type N-Kanal 36.23 A 700 V Forbedring PG-TO220-3, IPP
- Infineon Type N-Kanal 48 A 600 V Forbedring PG-TO220-3, IPA
- Infineon Type N-Kanal 70 A 600 V Forbedring PG-TO220-3, IPP
- Infineon Type N-Kanal 135 A 600 V Forbedring PG-TO220-3, IPP
- Infineon Type N-Kanal 6 A 800 V Forbedring PG-TO220-3, CoolMOS^TM
- Infineon Type N-Kanal 14 A 650 V Forbedring PG-TO220-3, IPP65R190CFD7A AEC-Q101